SP6566AFB是(shì)一(yī)顆高(gāo)性能(★λ£γnéng)的(de)開(kāi)關電(diàn)源次級側同步整流控制(∑‍∏zhì)電(diàn)路(lù)。在低(§£dī)壓大(dà)電(diàn)流開(kāi)關電(diàn)α≈∏ 源應用(yòng)中，輕松滿足6級能(néng)效，是(shì)理(lǐ)想∑'λ♥的(de)超低(dī)導通(tōng)壓降整流器(qìφ§)件(jiàn)的(de)解決方案。芯片可₽λ↕(kě)支持高(gāo)達150KHz 的(de)開(kāi)關¶☆εδ頻(pín)率應用(yòng)，并且支持CCM/QR/DCM等開(kāi)♠π關電(diàn)源工(gōng)作(zuò♠≤©)模式應用(yòng)，其極低(dī)導通(tōng)¥₩壓降産生(shēng)的(de)損耗遠(yuǎn)小(xiǎo¥α∏δ)于肖特基二極管的(de)導通(tōng)損耗，極大(dγ™≠à)提高(gāo)了(le)系統的(de)轉換效率，大(dà)幅降£↔♣φ低(dī)了(le)整流器(qì)件(jiàn)的(de)溫π≠'度。芯片內(nèi)置耐壓60V的(de)NMOSFET同步整‍β$流開(kāi)關，且具有(yǒu)極低(dī)的(de)γεφ內(nèi)阻，可(kě)提供系統高(g αāo)達3A的(de)應用(yòng)輸出;還(h∏¶ái)內(nèi)置了(le)高(gāo)壓直接檢測§§技(jì)術(shù)，耐壓高(gāo)達150V;以及自₹‌(zì)供電(diàn)技(jì)術(shù)極大​φ↕(dà)擴展了(le)輸出電(diàn)壓應用(yòng)範圍≈₹α±。

應用(yòng)範圍

（1）3.3V~12V快(kuài)充電(diàn)源   ♦£↑↕; （2）低(dī)壓大(dà)電(diàn)流電(diàn)源♥↔ （3） 高(gāo)能(néng)效開(kāi)關電(dià₩× ♠n)源