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具備國(guó)內(nèi)先進設備
采用(yòng)ERP系統管理(lǐ)，更專業(yè)化(hu₹♣™à)
SP6519F
SP6519F 是(shì)一(yī)顆高(gāo)性能(néng)的(≠♠σδde)開(kāi)關電(diàn)源次級 •側同步整流控制(zhì)電(diàn)路(lù)。在₽低(dī)壓大(dà)電(diàn)流開(kāi)關電(diàα$'n)源應用(yòng)中，輕松滿足 6 級能(néng)效，是(shì↕≥×®)理(lǐ)想的(de)超低(dī)導通(tōng)壓降™∏σ整流器(qì)件(jiàn)的(de)解決方案。芯片可(kě)支持高(gāo) ₹∞β達 150kHz的(de)開(kāi)關頻(pín)率應用(yòng)，并且支π∞$持 CCM / QR / DCM 等開(kāi)關電(diàn)源工♠ $(gōng)作(zuò)模式應用(yòng)，其極低(d"•∏≈ī)導通(tōng)壓降産生(shēng)的(de)損耗遠(♦♠yuǎn)小(xiǎo)于肖特基二極管的(de)導通(tō$≈☆↑ng)損耗，極大(dà)提高(gāo)了(le)系統的$ (de)轉換效率，大(dà)幅降低(dī)了(le)整流器(qì)件(ji¶δàn)的(de)溫度。
芯片內(nèi)置耐壓 100V 的(de) NM±<δOSFET 同步整流開(kāi)關，且具有(yǒu)極低(d™© ≥ī)的(de)內(nèi)阻，典型 RdsON 低(dī)至 1 ↔$0mΩ，可(kě)提供系統高(gāo)達 3A 的÷ε≈>(de)應用(yòng)輸出；還(hái)內(nèi)置∏♠了(le)高(gāo)壓直接檢測技(jì)術(shù)，耐壓高(₽₽gāo)達 200V；以及自(zì)供電(diàn)技(jì)術(sh¥$ù)極大(dà)擴展了(le)輸出電(diàn)壓應用(yòng)範圍> 。
應用(yòng)範圍
(1)3.3V3A~15V3A 快(kuài)α®β充電(diàn)源 (2)低(dī)壓大(dà)電(diàn)流∞∏電(diàn)源 (3)高(gāo)能(nén>εg)效開(kāi)關電(diàn)源
