SP6638HP 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 PW¥§M 控制(zhì)芯片，內(nèi)置功率 MOSFET，用(βδyòng)于功率在 27W 以內(nèi)的(de)方案。該芯片在αγφ系統輸出空(kōng)載時(shí)工(gōng)作(zuò)在♦₩≤跳(tiào)頻(pín)模式，在系統輸β↑₽出輕載到(dào)中等負載階段工(gōng)作(zuò)在 PF &→​M 模式，在輸出重載時(shí)工(gōng)作(✔&∏zuò)在最大(dà)恒定工(gōng)作(zuò)頻(pín)率。SP66φ↔38HP 的(de)啓動電(diàn)流和(hé)工(g>↔≤ōng)作(zuò)電(diàn)流設定的(d£♦¶e)比較小(xiǎo)，以此減小(xiǎo)待機(jī)時(shí)的(≤←≠de)功耗。芯片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補償電(di©✘βàn)路(lù)，避免次諧波振蕩的(de)發生(s ®≠hēng)，改善系統的(de)穩定性。芯片內(nèi)σβ置有(yǒu)前沿消隐時(shí)間(jiān)（ ¶β©Leading-edge blanking time），消除緩沖"™網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn)流對(≠ duì)電(diàn)路(lù)的(de)影(yǐng)響。該芯片帶有(y↔ε✘₩ǒu)抖頻(pín)功能(néng)，能(néng)夠有(yǒφ₹u)效改善系統的(de) EMI 性能(né'•♠ng)。芯片最低(dī)的(de)工(gōng<↓)作(zuò)頻(pín)率設置在音(yīn)頻(pín)以上(≠↑±λshàng)，在工(gōng)作(zuò)時(shí)可(k™≠♣↑ě)以避免系統産生(shēng)噪音(yīn)。SP6638H®₹$πP 內(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周期限流保護（OCP±¶），過壓保護（OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保π>¥&護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通(tōng)過內✔♦ (nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo≈₹¶ )的(de)改善系統的(de) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(de)≥±∑軟啓動控制(zhì)。SP6638HP 使用(yòng) DIP7 無鉛封∞∏♥π裝。