SP6649 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 PWM©¶ 控制(zhì)芯片，內(nèi)置 650V 高(gāo)↔δ壓功率 MOSFET，應用(yòng)于功率在 ♠¥ 30W 以內(nèi)的(de)方案。SP6 ​649 在 PWM 模式下(xià)工(gōng)作(zuò)于固定開(k$ε" āi)關頻(pín)率，這(zhè)個(gè)頻(pín)率是(÷©αεshì)由內(nèi)部精确設定。在空(kōng)載或者輕載↓®★時(shí)，工(gōng)作(zuò)頻(pín)率由 IC 內φ♠♦∑(nèi)部調整。芯片可(kě)以工(gōng)作✔σ(zuò)在綠(lǜ)色模式，以此來(lái)減小(xiǎo)輕載時×φ(shí)的(de)損耗，提高(gāo)整機(jī)的(de)工∑☆<(gōng)作(zuò)效率。SP6649 在↑♣÷啓動和(hé)工(gōng)作(zuò)時(shí)隻需要'♣(yào)很(hěn)小(xiǎo)的(de)電(diàn)流，可(kě)以在&∞φ啓動電(diàn)路(lù)中使用(yòng)一(yī)™₹€個(gè)很(hěn)大(dà)的(de)電(diàn)阻，以此來(lái)>≠進一(yī)步減小(xiǎo)待機(jī)時(★↔&shí)的(de)功耗。芯片內(nèi)置有(yǒ₩♣u)斜坡補償電(diàn)路(lù)，當電(diàn)路(lù)♣∞<工(gōng)作(zuò)于大(dà)占空(kōng)比時(shí)，避免次÷♠≠諧波振蕩的(de)發生(shēng)，改善系統的(d πe)穩定性。內(nèi)置有(yǒu)前沿消隐&¥時(shí)（Leading-edge blanking  &✔®time），消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn)流對(du∏∞πì)電(diàn)路(lù)的(de)影✔∏↕£(yǐng)響。SP6649 采用(yòng)了(le)抖頻(pín)技(j✘× <ì)術(shù)，能(néng)夠有(yǒu)效改善系統的(de) EMI↔δ•♥ 性能(néng)。系統的(de)跳(tiào)頻(pín)頻≈&✘→(pín)率設置在音(yīn)頻(pín)(22KHz)↑εφ↔以上(shàng)，在工(gōng)作(zuò)時(shí)可σ↓☆(kě)以避免系統産生(shēng)噪音(yīn)。SP6649 β≤±內(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周期限流保®★護（OCP），過載保護（OLP），過壓保護（VDD₹> £ OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OT&σ$P）等，通(tōng)過內(nèi)部的 §♥γ(de)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo ✔)的(de)改善系統的(de) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(d "e)軟啓動控制(zhì)。