5G小(xiǎo)基站(zhàn)是(shì™≠∏&)實現(xiàn)5G網絡覆蓋的(de)關鍵組成部分(fēn)，一(yγ©™↕ī)般應用(yòng)在流量需求大(dà)≠☆Ω的(de)熱(rè)點區(qū)域，如(rú)大(dà)型商場 'α(chǎng)等。目前各運營商都(dōu)在進行(xíng)5G±☆✘♦基礎設施，未來(lái)将實現(xiàn)5G₩±網絡環境的(de)覆蓋，極大(dà)地(d↕÷ì)改善人(rén)們的(de)使用(yòng)體(©φ≥♠tǐ)驗。

5G小(xiǎo)基站(zhàn)的(de)設計(jì)中，當然也(λ₩yě)離(lí)不(bù)開(kāi)傳統©βλγ的(de)功率器(qì)件(jiàn)的(de)需求±™₹"，例如(rú)大(dà)電(diàn)流的(de)MOS管等。本文λλ(wén)推薦安森(sēn)德的(de)N溝道(dào)M↕←λσOS ASDM100R066NQ，應用(©≈εyòng)在小(xiǎo)基站(zhàn)的(de)設計(jì)中，₹✘耐壓可(kě)以達到(dào)100V，導通(tōng)電≥φ•(diàn)流達到(dào)68A。

ASDM100R066NQ用(yòng)在5G小(xiǎo)基αε≤站(zhàn)的(de)設計(jì)中有(yǒu♣α₽)以下(xià)特點：

1、導通(tōng)電(diàn)阻5.9mΩ，采用(yòΩ"ng)了(le)先進的(de)溝槽技(jì)術(shù)和(h← é)設計(jì)，能(néng)夠提供非常低(dī)的(de)導通(t↑‍♣ōng)電(diàn)阻，有(yǒu)利于産品整體(tǐ)設計(> ★jì)。

2、漏極飽和(hé)電(diàn)流為(wè←↕i)68A，最大(dà)脈沖電(diàn)流可(kě)以達到(dào)140♥φA，可(kě)以滿足大(dà)電(diàn)流應用↕→₩(yòng)的(de)設計(jì)。

3、零栅壓漏極電(diàn)流為(wèi)♦≥φ✘1μA，有(yǒu)利于産品低(dī)功耗的(de∏₩←☆)設計(jì)。

4、耗散功率最大(dà)為(wèi)108W。

5、工(gōng)作(zuò)結溫和(hé) ®"‍存儲溫度範圍為(wèi)-55℃至155℃，可(k§×♠ě)以滿足小(xiǎo)基站(zhàn)設計(jì)的(de)環境要(yào)£€↔求

6、采用(yòng)DFN5X6-8的(de)封裝，散熱(rè)性能(né ★ng)好(hǎo)，占用(yòng)空(kōng)間(jiān)小≈₩&(xiǎo)。

總的(de)來(lái)說(shuō)，安森(s ©♦δēn)德ASDM100R066NQ應用(yòng₩£∏∞)穩定，具有(yǒu)高(gāo)功率密度、→π≥←輸出線性好(hǎo)、能(néng)效高(gāo)、溫升低(dī)等優勢，©∏不(bù)僅能(néng)夠從(cóng)參數(shù)各方面适用(yòngα↕)于5G小(xiǎo)基站(zhàn)，而且≠ αβ在使用(yòng)方面還(hái)能(né'γng)完美(měi)替代ST的(de)STB100N10F7場(chǎng)效♠ £應管。