5G小(xiǎo)基站(zhàn)是(shì)實現(γ≈δxiàn)5G網絡覆蓋的(de)關鍵組成部分(fēn)>§∏，一(yī)般應用(yòng)在流量需求大(dà)的(d ₹±βe)熱(rè)點區(qū)域，如(rú)大(dà)型商場(ch↔↑ ǎng)等。目前各運營商都(dōu)在進行(xíng)5G基礎設施，€φ未來(lái)将實現(xiàn)5G網絡環境的('✘≤de)覆蓋，極大(dà)地(dì)改善人(rén)們的(de)使用(yò•₹εγng)體(tǐ)驗。

5G小(xiǎo)基站(zhàn)的(de)Ω×設計(jì)中，當然也(yě)離(lí)不(bù)開§¶≈→(kāi)傳統的(de)功率器(qì)件(jià♠→>☆n)的(de)需求，例如(rú)大(dà)電(d∏÷₩iàn)流的(de)MOS管等。本文(wén)推薦安森(sēn)德λ‌¶的(de)N溝道(dào)MOS ASDM100R066NQ，應≥λπ→用(yòng)在小(xiǎo)基站(zhàn)的(de)設計(jì)×≤π•中，耐壓可(kě)以達到(dào)100V，導通(tōng)電(diàn)☆•€→流達到(dào)68A。

ASDM100R066NQ用(yòng)在5G小★ε♥♠(xiǎo)基站(zhàn)的(de)設計(jì)中有(yǒu)以下(​¥xià)特點：

1、導通(tōng)電(diàn)阻5.9mΩ，¶•采用(yòng)了(le)先進的(de)溝槽技(→βσjì)術(shù)和(hé)設計(jì)，能(néng)夠提供♥•非常低(dī)的(de)導通(tōng)電(diàn)阻，有"δ(yǒu)利于産品整體(tǐ)設計(jì)。

2、漏極飽和(hé)電(diàn)流為(wèi)68A，最大(€★dà)脈沖電(diàn)流可(kě)以達到(dào)14 β0A，可(kě)以滿足大(dà)電(diàn)流應用(yòng)的(de)設計Ω>×(jì)。

3、零栅壓漏極電(diàn)流為(wèi)1μA，有(yǒ♥γ&αu)利于産品低(dī)功耗的(de)設計(jì)。

4、耗散功率最大(dà)為(wèi)108W。

5、工(gōng)作(zuò)結溫和(hé)存儲溫度範圍為(wπε"èi)-55℃至155℃，可(kě)以滿足小(xiǎo)基站(zhàn)設計( Ω✔&jì)的(de)環境要(yào)求

6、采用(yòng)DFN5X6-8的(de)封裝，散熱(rè)性能§↑(néng)好(hǎo)，占用(yòng)空(kōng)間(ji♣≤ān)小(xiǎo)。

總的(de)來(lái)說(shuō)，安ε™α¥森(sēn)德ASDM100R066NQ應用(y₹>"òng)穩定，具有(yǒu)高(gāo)功↓α率密度、輸出線性好(hǎo)、能(néng)& ♦效高(gāo)、溫升低(dī)等優勢，不(bù)僅能(néng)夠從♥>&γ(cóng)參數(shù)各方面适用(yòng)于5G小(x¥®☆γiǎo)基站(zhàn)，而且在使用(yòn≈δg)方面還(hái)能(néng)完美(¥↑≤měi)替代ST的(de)STB100N10F7場(chǎng)效φ♣¥應管。