SP6566AFB是(shì)一(yī)顆高(gāo)性能(néng)的(d‍§e)開(kāi)關電(diàn)源次級側同步整流控制(z♦↓¶πhì)電(diàn)路(lù)。在低(dī)壓大(dà)電(diàΩ∏n)流開(kāi)關電(diàn)源應用(yò ★γ☆ng)中，輕松滿足6級能(néng)效，是(s≤σ÷hì)理(lǐ)想的(de)超低(dī)£→‍導通(tōng)壓降整流器(qì)件(jiàn)的(de)解決方案。芯片可(k£♠γ×ě)支持高(gāo)達150KHz 的(de)開(k ‌āi)關頻(pín)率應用(yòng)，并且支持CCM/π÷©QR/DCM等開(kāi)關電(diàn)源工(gōng)作(zuòπ✔•↑)模式應用(yòng)，其極低(dī)導通(tōng)壓降産生(shē∞♥∞↓ng)的(de)損耗遠(yuǎn)小(xiǎo)于肖特基二£™↑>極管的(de)導通(tōng)損耗，極大(dà)提高(gāo)了(le)系♠✘☆Ω統的(de)轉換效率，大(dà)幅降低(dī)了(le)整流器(qì"α×)件(jiàn)的(de)溫度。芯片內(nèi)置耐壓60∏"βγV的(de)NMOSFET同步整流開(kāi)≠±↑ 關，且具有(yǒu)極低(dī)的(de)內(nèi)阻，可(kě)提供系統高♣ π✘(gāo)達3A的(de)應用(yòng)輸出;還(hái)¶σ£☆內(nèi)置了(le)高(gāo)壓直接檢測技(jì)術(shφ♣ù)，耐壓高(gāo)達150V;以及自(zì)供電(diàn)技(jì)術(φ∏shù)極大(dà)擴展了(le)輸出電(©•diàn)壓應用(yòng)範圍。

應用(yòng)範圍

（1）3.3V~12V快(kuài)充電(diàn)源   $§←  （2）低(dī)壓大(dà)電(d♦©♥iàn)流電(diàn)源 （3） 高(gāo)能(néng)效開×∞✘‍(kāi)關電(diàn)源