SP6566AFB是(shì)一(yī)顆>Ω高(gāo)性能(néng)的(de)開(kāi)關電(diàn'₹)源次級側同步整流控制(zhì)電(diàn)₹ 路(lù)。在低(dī)壓大(dà)電(diàn)流開(kāi)關電↓σ‌(diàn)源應用(yòng)中，輕松滿足€∞♦6級能(néng)效，是(shì)理(lǐ)想的(de$→↕)超低(dī)導通(tōng)壓降整流器(qì♥ ‍¥)件(jiàn)的(de)解決方案。芯片可(kě)支持高(gāo)達150K≈•♥↕Hz 的(de)開(kāi)關頻(pín)率應用(yòng)，并ε♠‌™且支持CCM/QR/DCM等開(kāi)關電(→§diàn)源工(gōng)作(zuò)模式應用(yòng)∑€ ​，其極低(dī)導通(tōng)壓降産生(↓∞♦£shēng)的(de)損耗遠(yuǎn)小(xiǎo)于肖特基二極管的(de &®)導通(tōng)損耗，極大(dà)提高(gāo)了(le)系統的(de)ε§↑€轉換效率，大(dà)幅降低(dī)了(le)整流器(q÷λ"'ì)件(jiàn)的(de)溫度。芯片內(nèi)≠"置耐壓60V的(de)NMOSFET同步"↓♠整流開(kāi)關，且具有(yǒu)極低(dδφ≥ī)的(de)內(nèi)阻，可(kě)提供系統高(gā​♣¥βo)達3A的(de)應用(yòng)輸出;還(há‌¥i)內(nèi)置了(le)高(gāo)壓直接檢測技(jì)術(shù)σ∏，耐壓高(gāo)達150V;以及自(zì)供γ÷&電(diàn)技(jì)術(shù)極大(dà)擴展了(le)₽≈‌輸出電(diàn)壓應用(yòng)範圍。

應用(yòng)範圍

（1）3.3V~12V快(kuài)充電(d¶δ§iàn)源    （®✘2）低(dī)壓大(dà)電(diàn)流電(diàn)源 （3）≈×€ 高(gāo)能(néng)效開(kāi)關電(diàn)源