SP6566AFB是(shì)一(yī)顆高(gāo)性能(néng‍&↑)的(de)開(kāi)關電(diàn)源次級側同步'φ整流控制(zhì)電(diàn)路(lù)。在低(dī)壓大(dα ↕☆à)電(diàn)流開(kāi)關電(diàn)源應用(yòng)中∏©✔，輕松滿足6級能(néng)效，是(shì)理(lǐ)想&↓↓的(de)超低(dī)導通(tōng)壓降整流器(qì)件(jiàn)的↑‌•(de)解決方案。芯片可(kě)支持高(gāo)達150KHz 的☆∑φε(de)開(kāi)關頻(pín)率應用(y±₹òng)，并且支持CCM/QR/DCM等λεβ開(kāi)關電(diàn)源工(gōn↔σg)作(zuò)模式應用(yòng)，其極低(dī)導通€≤γ♦(tōng)壓降産生(shēng)的(de)損耗遠(y↑¥φuǎn)小(xiǎo)于肖特基二極管的(de)導通(tōng)損耗，ε↔☆極大(dà)提高(gāo)了(le)系統的(d↓φ§∏e)轉換效率，大(dà)幅降低(dī)了(le)整流器αΩ(qì)件(jiàn)的(de)溫度。芯 ☆←片內(nèi)置耐壓60V的(de)NMOSFET同步整流開(σ✔$¥kāi)關，且具有(yǒu)極低(dī)的(d∏÷e)內(nèi)阻，可(kě)提供系統高(gāo)達3↔∏↓A的(de)應用(yòng)輸出;還(hái)內(nèi)™Ω∞置了(le)高(gāo)壓直接檢測技(jì)術(sσ↔φhù)，耐壓高(gāo)達150V;以及自(zì)供電(dσ✘iàn)技(jì)術(shù)極大(dà)擴展了(le)輸出電(diàn)壓¶βδ 應用(yòng)範圍。

應用(yòng)範圍

（1）3.3V~12V快(kuài)充電(diàn)源  &nbs∏♥←p; （2）低(dī)壓大(dà)電(diε©βàn)流電(diàn)源 （3） 高(gāo)能(néng)效£×開(kāi)關電(diàn)源