SP6566AFB是(shì)一(yī)顆高(gāo↑&₩λ)性能(néng)的(de)開(kāi)關電(diàn)源次級側☆ש 同步整流控制(zhì)電(diàn)路(lù)。在低'Ω©(dī)壓大(dà)電(diàn)流開(kāi)關電(diàn)源應用(yòn≠™£g)中，輕松滿足6級能(néng)效，是(shì)理(lǐ)想的(de±≥)超低(dī)導通(tōng)壓降整流器(qì)件(jiàn)的(de)解決方∏©&案。芯片可(kě)支持高(gāo)達150KHz 的(₽>↕λde)開(kāi)關頻(pín)率應用(yòng)，并且支®₩•♣持CCM/QR/DCM等開(kāi)關電(diàn)♣©π£源工(gōng)作(zuò)模式應用(y≥π& òng)，其極低(dī)導通(tōng)壓降産生(shēng)的(de)損耗×∑Ωπ遠(yuǎn)小(xiǎo)于肖特基二極管的(φ±de)導通(tōng)損耗，極大(dà)提高(gāo)了(le)系統☆¥的(de)轉換效率，大(dà)幅降低(dī)了(le)整↑♦流器(qì)件(jiàn)的(de)溫度。芯片內(n♠₽èi)置耐壓60V的(de)NMOSFET同步整流開(k≠×āi)關，且具有(yǒu)極低(dī)的(de∑ )內(nèi)阻，可(kě)提供系統高(gāo)達3A的(★¶©de)應用(yòng)輸出;還(hái)內(nèi)置了(le)高(✘™gāo)壓直接檢測技(jì)術(shù)，耐壓高(♥®gāo)達150V;以及自(zì)供電(diàn)技(jì)術(shù)極→¶大(dà)擴展了(le)輸出電(diàn)壓應用(yòng♣ ≥≠)範圍。

應用(yòng)範圍

（1）3.3V~12V快(kuài)充電(diàn)源&nb¶©₽sp;   （2）低(dī)壓大(dà)電(diàn)流↑∏電(diàn)源 （3） 高(gāo)能(néng)效開(kāi)關電(dià±δn)源