SP6566AFB是(shì)一(yī)÷✘顆高(gāo)性能(néng)的(de)β←開(kāi)關電(diàn)源次級側同步整流控制(zh✔↑↕¥ì)電(diàn)路(lù)。在低(dī)壓大(dà)電(diàn)流開(k‍↓♥āi)關電(diàn)源應用(yòng)中，輕松•←λ>滿足6級能(néng)效，是(shì)理(lǐ)想的(de)超低  (dī)導通(tōng)壓降整流器(qì)件(jiàn)↔"的(de)解決方案。芯片可(kě)支持高(gā≥£σ®o)達150KHz 的(de)開(kāi)關頻(pín)率應用(yòng∞​<)，并且支持CCM/QR/DCM等開(kāi)關電(di♣€±àn)源工(gōng)作(zuò)模式應用γ→(yòng)，其極低(dī)導通(tōng)壓降産生(shēng)的(de)Ω÷損耗遠(yuǎn)小(xiǎo)于肖特基二極管的(de)導通(tō₹☆≈£ng)損耗，極大(dà)提高(gāo)了(le)系統的(de)轉換效率，大(d ∏≥à)幅降低(dī)了(le)整流器(qì)件(jiàn)的>×≥(de)溫度。芯片內(nèi)置耐壓60V的(±★∑₹de)NMOSFET同步整流開(kāi)關，且具有(yǒuΩλ• )極低(dī)的(de)內(nèi)阻，可(kě)提™Ω供系統高(gāo)達3A的(de)應用(↔♥yòng)輸出;還(hái)內(nèi)置了(le)高(gāo)壓直♣•$£接檢測技(jì)術(shù)，耐壓高(gāo)達±✔>&150V;以及自(zì)供電(diàn)技(jì)術(shù)極大(±•dà)擴展了(le)輸出電(diàn)壓應用(yòng)範圍。

應用(yòng)範圍

（1）3.3V~12V快(kuài)充電(diàn)源  &nb£βsp; （2）低(dī)壓大(dà)電(d•β$™iàn)流電(diàn)源 （3） 高(gāo)能(nén±€£≠g)效開(kāi)關電(diàn)源