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具備國(guó)內(nèi)先進設備
采用(yòng)ERP系統管理(lǐ)，更專業(yè)化(δhuà)
SP6518F
SP6518F 是(shì)一(yī)顆高(<™§gāo)性能(néng)的(de)開(kāi)關電(diàn)源次↔±¥級側同步整流控制(zhì)電(diàn)路(lù)。在低(dī)壓大(dà £α)電(diàn)流開(kāi)關電(diàn)源應用(yòng≥δ)中，輕松滿足 6 級能(néng)效，是(shì<↓≥★)理(lǐ)想的(de)超低(dī)導通(tōng)壓降∏ ✔>整流器(qì)件(jiàn)的(de)解決方案。芯片可(kě)支"♦®持高(gāo)達 150kHz的(de)開(kāi)關¶λ≈→頻(pín)率應用(yòng)，并且支持 CCM /≠♣ QR / DCM 等開(kāi)關電(diàn)源工(gōng♦♥)作(zuò)模式應用(yòng)，其極低(dī)導通(t↔'ōng)壓降産生(shēng)的(de)損耗遠£ε α(yuǎn)小(xiǎo)于肖特基二極管的(de)導通(tōng)損耗，極÷∑大(dà)提高(gāo)了(le)系統的(de)轉換Ω§效率，大(dà)幅降低(dī)了(le)整流器(qì)•§£件(jiàn)的(de)溫度。
芯片內(nèi)置耐壓80V的(de)NMOSFET同步整流開(kāiα≈)關，且具有(yǒu)極低(dī)的(deσ→← )內(nèi)阻，典型 RdsON 低(dī)至 10m♣×✔•Ω，可(kě)提供系統高(gāo)達 3A 的(de)應↑÷★用(yòng)輸出；還(hái)內(nèi)置了(le)高δφ(gāo)壓直接檢測技(jì)術(shù)，耐壓≠π高(gāo)達 200V；以及自(zì)供電(diàn)$✔β技(jì)術(shù)極大(dà)擴展了(le)輸出電(diàn)壓應用(Ωβyòng)範圍。
應用(yòng)範圍
(1)3.3V3A~12V3A、快(kuài)充電(di¶≤àn)源 (2)18W-PD（PPS）•φ快(kuài)充電(diàn)源 (3)高(gā★"€o)能(néng)效開(kāi)關電(diàn↔σΩ¥)源
