産品分(fēn)類
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具備國(guó)內(nèi)先進設備
采用(yòng)ERP系統管理(lǐ)，更專業(£¶yè)化(huà)
SP6519F
SP6519F 是(shì)一(yī)顆高(gāo)性能(néng)的(↕←÷de)開(kāi)關電(diàn)源次級側同步整流控制(zhì"♠φ")電(diàn)路(lù)。在低(dī)壓大(d€♦∞↓à)電(diàn)流開(kāi)關電(diàn)®↕源應用(yòng)中，輕松滿足 6 級能(néng)效，是(©←shì)理(lǐ)想的(de)超低(dī)導通(tōng)壓降整流器(★$qì)件(jiàn)的(de)解決方案。芯片可(kě)支持高(gāo)達→♠ 150kHz的(de)開(kāi)關頻(pín)率應用(yòn>λγλg)，并且支持 CCM / QR / DCM 等開(kāi)關電(d♣±iàn)源工(gōng)作(zuò)模式應用(yònε&g)，其極低(dī)導通(tōng)壓降産¥♣生(shēng)的(de)損耗遠(yuǎק€§n)小(xiǎo)于肖特基二極管的(de)導通(tōng)損耗↕±，極大(dà)提高(gāo)了(le)系統的(de)轉換效率，大(dà)幅降低©↔±$(dī)了(le)整流器(qì)件(jià♠ε☆n)的(de)溫度。
芯片內(nèi)置耐壓 100V 的(de) NMOSβ'✔✔FET 同步整流開(kāi)關，且具有(yǒu)極低(dī)的(de)內"σ♣✔(nèi)阻，典型 RdsON 低(dī)至≠≈÷ 10mΩ，可(kě)提供系統高(gāo)達 3A 的(de)應β©用(yòng)輸出；還(hái)內(nèi)置了( €le)高(gāo)壓直接檢測技(jì)術(shù)，耐壓高(gāo×♣∞™)達 200V；以及自(zì)供電(diàn)技(jì)術(s∏←hù)極大(dà)擴展了(le)輸出電(diàn)壓應用(yòng β)範圍。
應用(yòng)範圍
(1)3.3V3A~15V3A 快(kuài) ∑πφ充電(diàn)源 (2)低(dī)壓大(dà)電>∑(diàn)流電(diàn)源 (3®÷≈)高(gāo)能(néng)效開(kāi)關電(diàn)源
