産品分(fēn)類
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具備國(guó)內(nèi)先進設備
采用(yòng)ERP系統管理(lǐ)，更專¥↕¥↔業(yè)化(huà)
SP6519F
SP6519F 是(shì)一(yī)顆高(gāo)性€✘能(néng)的(de)開(kāi)關電(d&←φiàn)源次級側同步整流控制(zhì)電(diàn)路<↑&(lù)。在低(dī)壓大(dà)電(diàn)¥ ™流開(kāi)關電(diàn)源應用(yòng)中，輕松滿足 6 級能(nén≈"ε≠g)效，是(shì)理(lǐ)想的(de)超低(dī)導通(tōσ→♦ng)壓降整流器(qì)件(jiàn)的(de)解決方±γ☆案。芯片可(kě)支持高(gāo)達 150kHz的(d↑>∑e)開(kāi)關頻(pín)率應用(yòng)，并≈$且支持 CCM / QR / DCM 等開(kāi)關電(diàn)源ε λ工(gōng)作(zuò)模式應用(yòng)，其極低(dī)導通(tōng)₹×壓降産生(shēng)的(de)損耗遠(yuǎn)小(x✘♣iǎo)于肖特基二極管的(de)導通(tōng)損耗，極大(d≠✘ à)提高(gāo)了(le)系統的(de)轉換效率，大(dà)幅降低(dī)了♣®∏★(le)整流器(qì)件(jiàn)的(d β ∑e)溫度。
芯片內(nèi)置耐壓 100V 的(de) NMOSFET δ♥♥φ同步整流開(kāi)關，且具有(yǒu)極低(dī↑✔)的(de)內(nèi)阻，典型 Rds<≥ON 低(dī)至 10mΩε ∞，可(kě)提供系統高(gāo)達 3A 的(de)應用(yòng®↓)輸出；還(hái)內(nèi)置了(le)高(gā☆✔®♥o)壓直接檢測技(jì)術(shù)，耐壓高(gāo)達 200V；以¶✘ε及自(zì)供電(diàn)技(jì)術(shù)極大(dà)擴 ←₽↓展了(le)輸出電(diàn)壓應用(yòng)範圍。
應用(yòng)範圍
(1)3.3V3A~15V3A 快(kuài)充電(diàn)源 '∑₹"(2)低(dī)壓大(dà)電(diàn)流電(dià≠↓✘n)源 (3)高(gāo)能(néng)效開(€₽kāi)關電(diàn)源
