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具備國(guó)內(nèi)先進設備
采用(yòng)ERP系統管理(lǐ)，更專業(yè)化(huà)
SP6519F
SP6519F 是(shì)一(yī)顆高(gāo)性能(néng)的(de)÷←£開(kāi)關電(diàn)源次級側同步整流控制(zhì)電(dδ¶≤iàn)路(lù)。在低(dī)壓大(dà) ☆電(diàn)流開(kāi)關電(diàn)源應用(yòng∞)中，輕松滿足 6 級能(néng)效，是(shαì)理(lǐ)想的(de)超低(dī)導通(tōng)壓降整流器(qì)✔©件(jiàn)的(de)解決方案。芯片可(k✘¶≠δě)支持高(gāo)達 150kHz的(de)開(kāiσ$♦∞)關頻(pín)率應用(yòng)，并且支持 CCM / QR / DCM≠☆→ 等開(kāi)關電(diàn)源工(gōng)作(zuò)模&λ↔式應用(yòng)，其極低(dī)導通(tōng)壓降産生(shē≠ ng)的(de)損耗遠(yuǎn)小(xiǎo)于肖特基二極管的(de)導₩↕γ通(tōng)損耗，極大(dà)提高(gāo)了(le)≈≠✔系統的(de)轉換效率，大(dà)幅降低£β(dī)了(le)整流器(qì)件(jiàn)的(de) 溫度。
芯片內(nèi)置耐壓 100V 的(de) NMOS≤λ↔ FET 同步整流開(kāi)關，且具有(yǒu)極低($×σdī)的(de)內(nèi)阻，典型 RdsON 低(dī)至 1✘★0mΩ，可(kě)提供系統高(gāo)達 ∑∑3A 的(de)應用(yòng)輸出；還(hái)內(nèi)置了(le♥&")高(gāo)壓直接檢測技(jì)術(shù)，耐壓高(gāo)¥達 200V；以及自(zì)供電(diàn)技(jì)術(shΩ÷σù)極大(dà)擴展了(le)輸出電(dià→&n)壓應用(yòng)範圍。
應用(yòng)範圍
(1)3.3V3A~15V3A 快(kuài)充電(diàn)源 •>(2)低(dī)壓大(dà)電(diàn)流電(di≠σ>♥àn)源 (3)高(gāo)能(néng)效開(kāi•ελ)關電(diàn)源
