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具備國(guó)內(nèi)先進設備
采用(yòng)ERP系統管理(lǐ)，更專業(y "←è)化(huà)
SP6519F
SP6519F 是(shì)一(yī)顆高(✘∞gāo)性能(néng)的(de)開(kāi)↑ 關電(diàn)源次級側同步整流控制(zhì)電(diàn)路β≠(lù)。在低(dī)壓大(dà)電(diànεε)流開(kāi)關電(diàn)源應用(yòng↕→)中，輕松滿足 6 級能(néng)效，是(shì)理(lǐ)想©®☆的(de)超低(dī)導通(tōng)壓降整流器(qì)件±↕α(jiàn)的(de)解決方案。芯片可(kě)支持高∏∞(gāo)達 150kHz的(de)開(kāi)關頻(pín)¶•π&率應用(yòng)，并且支持 CCM / QR / DCM☆↔ 等開(kāi)關電(diàn)源工(gōn♠$↑g)作(zuò)模式應用(yòng)，其極低(dī)導通( ±≈☆tōng)壓降産生(shēng)的(de)損耗遠(yuǎn)小(xiǎ↓"o)于肖特基二極管的(de)導通(tōng)損耗，極大(dà)提高(gā↕₩Ω↕o)了(le)系統的(de)轉換效率，大(dà)幅降低(dī)了(le)整 φ'®流器(qì)件(jiàn)的(de)溫度。
芯片內(nèi)置耐壓 100V 的(de) NMOSFET 同 •步整流開(kāi)關，且具有(yǒu)極低(dī)的(d♦↑®"e)內(nèi)阻，典型 RdsON 低(dī)₹§λ至 10mΩ，可(kě)提供系統高(gāo)達 3A≠★≤δ 的(de)應用(yòng)輸出；還(hái)≈≤σ內(nèi)置了(le)高(gāo)壓直接檢測技(jì)術 ®λ(shù)，耐壓高(gāo)達 200V；以及自(zì)£σ¥γ供電(diàn)技(jì)術(shù)極大(dà)擴展了(le)≠↓輸出電(diàn)壓應用(yòng)範圍。
應用(yòng)範圍
(1)3.3V3A~15V3A 快(kuài)充電(dià÷∞n)源 (2)低(dī)壓大(÷£dà)電(diàn)流電(diàn)源&nbs™₽∏p; (3)高(gāo)能(néng)效開(kāi)關電(diàn←€₩)源
