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具備國(guó)內(nèi)先進設備
采用(yòng)ERP系統管理(lǐ)，更專業(yè)'∏化(huà)
SP6519F
SP6519F 是(shì)一(yī)顆高(gāo)性能(néng)的(de )開(kāi)關電(diàn)源次級側同步整流控制(zhì)電(dià'&§πn)路(lù)。在低(dī)壓大(dà)電(diàn)流開(kāi↔λ)關電(diàn)源應用(yòng)中，輕松滿足 6 級能(néng)效，是(÷✔shì)理(lǐ)想的(de)超低(dī)導通(tōng)壓降整流器(qì)件¥↔(jiàn)的(de)解決方案。芯片可(kě)支持高₩↕φ•(gāo)達 150kHz的(de)開(kāi)關頻(pín)率 >應用(yòng)，并且支持 CCM / QR / DCM♠ 等開(kāi)關電(diàn)源工(gōng)作(zuò)模式應用(yò≤÷÷"ng)，其極低(dī)導通(tōng)壓降産生(shēnσ ↓g)的(de)損耗遠(yuǎn)小(xiǎo)于肖特基二極管的(de)導通(t✘αōng)損耗，極大(dà)提高(gāo)了(le)系統的(de)轉換效率¶，大(dà)幅降低(dī)了(le)整流器(qì)₩Ω©©件(jiàn)的(de)溫度。
芯片內(nèi)置耐壓 100V 的(de) NMOSF∑→λ≤ET 同步整流開(kāi)關，且具有(yǒu)極低(dī)的(de)內(×λ£≠nèi)阻，典型 RdsON 低(dī)至 10mΩ， π可(kě)提供系統高(gāo)達 3A 的(de)應用(yòng)輸出；還(h<✔ái)內(nèi)置了(le)高(gāo×₩φ )壓直接檢測技(jì)術(shù)，耐壓高(gāo)達 200V；以及自(z∑×σ₽ì)供電(diàn)技(jì)術(shù)極大(dà)↔×♠擴展了(le)輸出電(diàn)壓應用(yòng§®×)範圍。
應用(yòng)範圍
(1)3.3V3A~15V3A 快(kuài)充電(diàn)源&n♥>✘bsp; (2)低(dī)壓大(dà)電(diàn)流電" ✔↕(diàn)源 (3)高(gāo)能(néng)ε∞效開(kāi)關電(diàn)源
