SP6606HPS 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 PWM £$®控制(zhì)芯片，內(nèi)置功率 MOSFET。

SP6606HPS 在 PWM 模式下(xià)工(gōπ♦ng)作(zuò)于固定頻(pín)率，這< (zhè)個(gè)頻(pín)率是(shì)由內(nèi®δ)部精确設定的(de)。在空(kōng)載或者輕載時αλ∏ (shí)，工(gōng)作(zuò)頻(pín‍←)率由 IC 內(nèi)部調整。芯片可(k∑♦γ☆ě)以工(gōng)作(zuò)在綠(lǜ)色♠Ω∏模式，以此來(lái)減小(xiǎo)輕載時(s ≤hí)的(de)損耗，提高(gāo)整機(jī)的(de)工(gōng∏♠)作(zuò)效率，SP6606HPS 在啓動和(hé)工(gōng)作(zu ​ò)時(shí)隻需要(yào)很(hěn)小(xiǎ←₹®o)的(de)電(diàn)流，可(kě)以在啓動電(diàn)路(lù)中使"✔用(yòng)一(yī)個(gè)很(hěn)大(d<φ±'à)的(de)電(diàn)阻，以此來(lái)進一(yī)'♥步減小(xiǎo)待機(jī)時(shí)的(•"de)功耗。芯片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補償電(diàn)​π✘路(lù)，當電(diàn)路(lù)工(gōng)作(zuò)于‌±大(dà)占空(kōng)比時(shí)，避免次諧波振蕩的(de)發生(s ≠§≥hēng)，改善系統的(de)穩定性。內(ελβnèi)置有(yǒu)前沿消隐時(shí)（Leading-edge bla•↕£nkingtime），消除緩沖網絡中的(de)二φ★極管反向恢複電(diàn)流對(duì)電(d&•iàn)路(lù)的(de)影(yǐng)響。SP660✔φ¶‍6HPS 采用(yòng)了(le)抖頻(pín)技(j>₽¶ì)術(shù)，能(néng)夠有(yǒu←₩)效改善系統的(de) EMI 性能(néng)。系統的(de×₽)跳(tiào)頻(pín)頻(pín)率設置在音(yīn¶™€)頻(pín)(20KHz)以上(shàng)，在工(gōng↔←÷)作(zuò)時(shí)可(kě)以避免系統産生(sσ↕hēng)噪音(yīn)。SP6606H§↔PS 內(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周≈₹§期限流保護（OCP），過載保護（OLP），過壓保護（OVP），VDD 過壓<∞箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP↓‍✘）等，通(tōng)過內(nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(kě)∞β‍以更好(hǎo)的(de)改善系統的(de) EMI 特性和(hé)開(k β←āi)關的(de)軟啓動控制(zhì)。