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具備國(guó)內(nèi)先進設備
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SP6638HP
SP6638HP 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流 $模式 PWM 控制(zhì)芯片,內(n∏∏èi)置功率 MOSFET,用(yòng)于功率在 27W 以內(nèi)的(±∞de)方案。該芯片在系統輸出空(kōng)載時€≠δδ(shí)工(gōng)作(zuò)在跳(t£₹<iào)頻(pín)模式,在系統輸出輕載到(dào)₹<δ中等負載階段工(gōng)作(zuò)在 PFM 模式,在輸出重載時(∑¶shí)工(gōng)作(zuò)在最大(dà)恒定工(gōng)作(z₩β←uò)頻(pín)率。SP6638HP 的(de)啓動電(diàn)流'α€∏和(hé)工(gōng)作(zuò)電(diàn)流設定的(de)δ≈φλ比較小(xiǎo),以此減小(xiǎo)待機(↕©™✔jī)時(shí)的(de)功耗。芯片內(nèi•↓)置有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(lù),避免次諧波 π振蕩的(de)發生(shēng),改善系統的(d₩€£♠e)穩定性。芯片內(nèi)置有(yǒu)前沿消隐時(shí)間(ji♦£ān)(Leading-edge blanking "×↑time),消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn)流對(duì≥×♣)電(diàn)路(lù)的(de)影(yǐng)響。該芯片帶✘'有(yǒu)抖頻(pín)功能(néng),能(néng)夠有(yǒ β₽u)效改善系統的(de) EMI 性能(néπ÷ng)。芯片最低(dī)的(de)工(gōng)作(zuò)φ≤±頻(pín)率設置在音(yīn)頻(pín)<<σ$以上(shàng),在工(gōng)作(zuò)時(shí)可(kě)σδ₹以避免系統産生(shēng)噪音(yīn)。SP<σ6638HP 內(nèi)置多(duō)種保護,包<♥括逐周期限流保護(OCP),過壓保護(OVP),VD✘γ"D 過壓箝位,欠壓保護(UVLO),過溫保護(OTP)等,通(tōn§≥ ≥g)過內(nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構±•₩∞可(kě)以更好(hǎo)的(de)改善系統的(de) EMI 特性和(hé₩∑$)開(kāi)關的(de)軟啓動控制(zhì)。S±¥•P6638HP 使用(yòng) DIP7♥ 無鉛封裝。
應用(yòng)範圍
(1)充電(diàn)器(qì) •♥(2)PDA、數(shù)碼相(xiàng)機(jī)、攝像機(jī)電(di àn)源适配器(qì) (3)機(jī∏πΩ)頂盒電(diàn)源 (4)開(kāi)放(fàn¥βg)框架式開(kāi)關電(diàn)源 (5)個(<£ gè)人(rén)電(diàn)腦(nǎo)輔助電∑λ♠∞(diàn)源