SP6639HF 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 PWM 控制₹<δ(zhì)芯片，內(nèi)置功率 MOSFET，‍ε™用(yòng)于功率在 27W 以內(nèi)的(de)方₩♦案。該芯片在系統輸出空(kōng)載時(shí)工(gō¶•ng)作(zuò)在跳(tiào)頻(pín)模式，在¥£→系統輸出輕載到(dào)中等負載階段工(gōn>®g)作(zuò)在 PFM 模式，在輸出重載時(shí)工(gōn↑<♥&g)作(zuò)在最大(dà)恒定工(gōng)作(λ§↔zuò)頻(pín)率。SP6639HF 的(de)啓動電&♠&(diàn)流和(hé)工(gōng)作(z×↓βuò)電(diàn)流設定的(de)比較小(xiǎo)，®♠>以此減小(xiǎo)待機(jī)時(shí)的∞λ β(de)功耗。芯片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路♠≈(lù)，避免次諧波振蕩的(de)發生(sh≈‍ēng)，改善系統的(de)穩定性。芯片內↑✘(nèi)置有(yǒu)前沿消隐時(shí)間(jiān)π≠₩£（Leading-edge blanking time），φ₩₹消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn≥')流對(duì)電(diàn)路(lù)的(de)影(yǐng)響。該芯片帶∏®&♠有(yǒu)抖頻(pín)功能(néng)，能(néng)夠有(yǒu)效改₹"×✔善系統的(de) EMI 性能(néng•∏)。芯片最低(dī)的(de)工(gōng)作(zuò↓→  )頻(pín)率設置在音(yīn)頻(pín)以上(shàng)，在•$←工(gōng)作(zuò)時(shí)可(kě)以避免系統産生(shēngλ↕)噪音(yīn)。SP6639HF 內(nèi)置&∑÷多(duō)種保護，包括逐周期限流保護（OCP），過壓保護↑♣（OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護₽±♣≈（OTP）等，通(tōng)過內(nèi)部的(de)圖↓π♦騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo)的(de)改善系統的☆Ωα(de) EMI 特性和(hé)開(kāi)♠↕關的(de)軟啓動控制(zhì)。SP6639HF ±∏使用(yòng) SOP8 無鉛封裝。