SP6639HF 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 PWM 控&λ制(zhì)芯片，內(nèi)置功率 MOSFET，用(yòng) σ¥↑于功率在 27W 以內(nèi)的(de)方案。該芯片在系統✘♠≤∏輸出空(kōng)載時(shí)工(gōng)作(§✔φ≤zuò)在跳(tiào)頻(pín)模式，在系統輸出輕載到π↑Ω(dào)中等負載階段工(gōng)作(zuò)在 PFM 模式‌ε，在輸出重載時(shí)工(gōng)作(zuò)在最大(dφ‍à)恒定工(gōng)作(zuò)頻(pín)率。SP663≤π §9HF 的(de)啓動電(diàn)流和(hé)工(gōng)作(​₹zuò)電(diàn)流設定的(de)比較小(xiǎo)，以此減小(xi↔ ★₹ǎo)待機(jī)時(shí)的(de)功耗。芯片內(nè"←¥∑i)置有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(lù)，避免次諧波振<Ω←π蕩的(de)發生(shēng)，改善系統的♦★"↓(de)穩定性。芯片內(nèi)置有(yǒu)前沿消隐時(shí)間(jiānε☆☆)（Leading-edge blanking time），消除緩沖≠ 網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn)流對(duì)電(diàn)路(l★•£®ù)的(de)影(yǐng)響。該芯片帶有(yǒu)抖頻(pín)功能(néφ&ng)，能(néng)夠有(yǒu)效改善系統的♠¥≥ε(de) EMI 性能(néng)。芯片最低(dī)的✔♥₩(de)工(gōng)作(zuò)頻(pín)率設置在↕<​$音(yīn)頻(pín)以上(shàng)，在工(gōng)作(δ€×zuò)時(shí)可(kě)以避免系統産生(shēng)噪音(yīn)。↑♦™SP6639HF 內(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周期限流↕™保護（OCP），過壓保護（OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保護★σ（UVLO），過溫保護（OTP）等，通(tōng)過內(nèi)部的  (de)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo ‍≤)的(de)改善系統的(de) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(' ¶de)軟啓動控制(zhì)。SP6639HF$ε©↔ 使用(yòng) SOP8 無鉛封裝。