SP6639HF 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模"♠•₽式 PWM 控制(zhì)芯片，內(nè"εi)置功率 MOSFET，用(yòng)于功率在 2π‌7W 以內(nèi)的(de)方案。該芯片在系統輸出空(kōng)載€✔≠÷時(shí)工(gōng)作(zuò)在★∞★±跳(tiào)頻(pín)模式，在系統輸出輕載到(dào)中等負載階段工($®gōng)作(zuò)在 PFM 模式，在輸出重載時§≈(shí)工(gōng)作(zuò)在最大(dà)恒定工(gōng)作∏∞(zuò)頻(pín)率。SP6639HF 的(de)啓動電(diàn→§Ωε)流和(hé)工(gōng)作(zuò)電•£©​(diàn)流設定的(de)比較小(xiǎo ')，以此減小(xiǎo)待機(jī)時(☆≤<δshí)的(de)功耗。芯片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補償φ♠÷‌電(diàn)路(lù)，避免次諧波振蕩的(d≈↓e)發生(shēng)，改善系統的(de)穩定'↕Ω✘性。芯片內(nèi)置有(yǒu)前沿消隐時(shí)間(jiān)（Le≈ ading-edge blanking time）'"&，消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(di'≠&¶àn)流對(duì)電(diàn)路(lù> γ)的(de)影(yǐng)響。該芯片帶有(yǒu)抖‌ε≈✔頻(pín)功能(néng)，能(néng)夠有(yǒu)效改善系統的(d"€<e) EMI 性能(néng)。芯片最低(dī)的(de)工™♠(gōng)作(zuò)頻(pín)率設置在音(yīn)頻(pín)以λ≈上(shàng)，在工(gōng)作(zε♠​±uò)時(shí)可(kě)以避免系統産生≈≈™ (shēng)噪音(yīn)。SP663®∏♠9HF 內(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周期限流保護（OCP），γ₹↓↑過壓保護（OVP），VDD 過壓箝位，欠¶£Ω¥壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，>γ≥通(tōng)過內(nèi)部的(de)圖騰柱≥♥>€驅動結構可(kě)以更好(hǎo)的(de)改善系統的(£♠de) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(de)軟啓動控制(zhì)。&>SP6639HF 使用(yòng) SOP8♦☆‌ 無鉛封裝。