SP6638HF 是(shì)一(yī)♦γγ顆電(diàn)流模式 PWM 控制(zhì)芯βσ 片，內(nèi)置功率 MOSFET，用(yòng)于功率在 18W ↓±≠以內(nèi)的(de)方案。該芯片在系統輸≥↔∏ 出空(kōng)載時(shí)工(gōng)作(zuò)在跳(t₽σ♣iào)頻(pín)模式，在系統輸出輕載到(dào)中等負載階段工(>σβ∏gōng)作(zuò)在 PFM 模式，在輸出重載時(shí)工(gōng)作×σ∞(zuò)在最大(dà)恒定工(gōng≤'×✔)作(zuò)頻(pín)率。SP6638HF β‌的(de)啓動電(diàn)流和(hé)工(gōng)作(zu βò)電(diàn)流設定的(de)比較小(±π¥xiǎo)，以此減小(xiǎo)待機(jī)時(☆ε≠shí)的(de)功耗。芯片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補償電(di♦≈•₩àn)路(lù)，避免次諧波振蕩的(de)發↔∞★φ生(shēng)，改善系統的(de)穩定性。芯δε 片內(nèi)置有(yǒu)前沿消隐時(shí)間(j↔¶iān)（Leading-edge blanking time），消除©↓♠≤緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn)流對(duì)電(d→♥iàn)路(lù)的(de)影(yǐng)響<‌ε✔。該芯片帶有(yǒu)抖頻(pín)功能(néng)，能(néng€•∏₽)夠有(yǒu)效改善系統的(de) EMI 性能(néng)。芯 ≠♠>片最低(dī)的(de)工(gōng)作(zuò)頻(pín) σ率設置在音(yīn)頻(pín)以上(shà♦✘ng)，在工(gōng)作(zuò)時(shí)可(kě)以避免系統産生(s ✔₩✘hēng)噪音(yīn)。SP6638HFλ☆™ 內(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周期✘≈≠δ限流保護（OCP），過壓保護（OVP），VDD 過壓箝位，£®‍欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通(tōng∏↔≈)過內(nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(h‌πα$ǎo)的(de)改善系統的(de) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的φ↓×ε(de)軟啓動控制(zhì)。SP6638HF 使用(yòng) ®<$SOP8 無鉛封裝。