SP6649 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 β∞PWM 控制(zhì)芯片，內(nèi)置 650V 高(gāo)壓功率 ≤λ☆MOSFET，應用(yòng)于功率在 30W 以內®♠£(nèi)的(de)方案。SP6649 在 PWM 模式下(xià₽© €)工(gōng)作(zuò)于固定開(kāi)♠€關頻(pín)率，這(zhè)個(gè)頻(pín)®↔≤率是(shì)由內(nèi)部精确設定。在空(kōng)載或者輕載時(λδshí)，工(gōng)作(zuò)頻(pín)率由 IC 內∏↕δ(nèi)部調整。芯片可(kě)以工(gōn÷ g)作(zuò)在綠(lǜ)色模式，以此來(lái)減小(xiǎo​©✘ε)輕載時(shí)的(de)損耗，提高(gāo)整機(jīπ£)的(de)工(gōng)作(zuò)效率。SP6649 在啓動和(hé)工®¥₩₩(gōng)作(zuò)時(shí)隻需要(yào₩φ)很(hěn)小(xiǎo)的(de)電(diàn ∞)流，可(kě)以在啓動電(diàn)路(lù)中使用★© (yòng)一(yī)個(gè)很(hěn)大(dà)的(de)♥Ω☆≠電(diàn)阻，以此來(lái)進一(yī) δ步減小(xiǎo)待機(jī)時(shí)的(de)÷♣功耗。芯片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(lù)π≠™ ，當電(diàn)路(lù)工(gōng)作(zu✔✔↑ò)于大(dà)占空(kōng)比時(shí)，避免次諧波振蕩的(de)發生(≥αβshēng)，改善系統的(de)穩定性。內(nèi)置有(yǒ₩φ§₩u)前沿消隐時(shí)（Leading-edge blanking time Ω），消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(d>≈iàn)流對(duì)電(diàn)路(lπ ≤ù)的(de)影(yǐng)響。SP6649 采用(yòng)了(lφλ✘e)抖頻(pín)技(jì)術(shù)，能(néng)夠有(yǒu)效改善®©系統的(de) EMI 性能(néng)。系統的♥→£≠(de)跳(tiào)頻(pín)頻(pín)ε↑π率設置在音(yīn)頻(pín)(22KHz)以上(γ‌​♣shàng)，在工(gōng)作(zuò)時(shí)可(kě)以避免系統産生₹σ♥(shēng)噪音(yīn)。SP6649 內&♦(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周期限流©≈★&保護（OCP），過載保護（OLP），過壓保護（VDφ ✘→D OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通‌←✘(tōng)過內(nèi)部的(de)圖騰柱驅 φσ動結構可(kě)以更好(hǎo)的(de)改善系統的(de)♠♣↔ EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(de)軟啓動控制(zhì)​λ。