SP6649 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 P‌→γ​WM 控制(zhì)芯片，內(nèi)置α♠ 650V 高(gāo)壓功率 MOSFET，應用(yòng) ♣™于功率在 30W 以內(nèi)的(de) ¶方案。SP6649 在 PWM 模式下(α✘©>xià)工(gōng)作(zuò)于固定開(kāi)關頻(pín)率，這'∏(zhè)個(gè)頻(pín)率是(shì)由內(nèi)部精确設定✔¥≈$。在空(kōng)載或者輕載時(shí)，∞ ¶工(gōng)作(zuò)頻(pín)率由 IC 內(n♣Ωèi)部調整。芯片可(kě)以工(gōng)作(zuò)在綠≈ (lǜ)色模式，以此來(lái)減小(xiǎo)輕載時(shí)的(de)損​β‌♠耗，提高(gāo)整機(jī)的(de)工(gōng)作(z♦ ∑★uò)效率。SP6649 在啓動和(hé)工≈☆•β(gōng)作(zuò)時(shí)隻需要(yà↓<β≠o)很(hěn)小(xiǎo)的(de)←↔電(diàn)流，可(kě)以在啓動電(diàn)路(lù)中使用(y∞φòng)一(yī)個(gè)很(hěn)大(dà)的¶π≤>(de)電(diàn)阻，以此來(lái)進一(yī)步減小(♦×®xiǎo)待機(jī)時(shí)的(de)功‌"≠α耗。芯片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補σ♥λ∏償電(diàn)路(lù)，當電(diàn)路(lù)工(gōng)作(zλαuò)于大(dà)占空(kōng)比時(shí)，避φ®♣免次諧波振蕩的(de)發生(shēng)，改善系統的(de)穩定性∑•π↕。內(nèi)置有(yǒu)前沿消隐時(shí)（Lea¶σding-edge blanking time），消除緩沖網絡中的(★∑de)二極管反向恢複電(diàn)流對(duì)電(diàn♣®♣β)路(lù)的(de)影(yǐng)響。SP6649✔∞¥​ 采用(yòng)了(le)抖頻(pín)技(jì)術(shù)，能¥​"¶(néng)夠有(yǒu)效改善系統的(de) EM≈ I 性能(néng)。系統的(de)跳(tiào)頻(pín)頻(p↕&→∞ín)率設置在音(yīn)頻(pín)(22KHz)以上(shàn'£g)，在工(gōng)作(zuò)時(shí)可(kě)以避免系統産生(shē​♥¥ng)噪音(yīn)。SP6649 內(nèi)₹←♠Ω置多(duō)種保護，包括逐周期限流保護∞♣↕π（OCP），過載保護（OLP），過壓保護（VDD OVP），VDD 過壓箝≥✘δ'位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通'±♠®(tōng)過內(nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hβ÷ǎo)的(de)改善系統的(de) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(d ÷e)軟啓動控制(zhì)。