SP6649 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 Pα•WM 控制(zhì)芯片，內(nèi)置 650V 高(gāo)壓功率 MΩ‍→OSFET，應用(yòng)于功率在 30W 以內(nèi)的(de)方案。S★‍®P6649 在 PWM 模式下(xià)工(g>€ ∞ōng)作(zuò)于固定開(kāi)關頻(pβ™∏ín)率，這(zhè)個(gè)頻(pín)率是(shì)由內(nèi)↔↓π€部精确設定。在空(kōng)載或者輕載時(shí)，工(gōng)≥β →作(zuò)頻(pín)率由 IC 內(nèi)部調整。芯片可(kě)以工§β<Ω(gōng)作(zuò)在綠(lǜ)色模式，以此來(lái)減小(xiǎo)輕λ↓™✘載時(shí)的(de)損耗，提高(gā↔ ♣¶o)整機(jī)的(de)工(gōng)作∑∏<(zuò)效率。SP6649 在啓動和(hé)工(gōng)作(zuò→σ)時(shí)隻需要(yào)很(hěn)小(xiǎo)的(de♦γ₹♠)電(diàn)流，可(kě)以在啓動電(di→'àn)路(lù)中使用(yòng)一(yī)個(gè)很(hěn)大(d→βà)的(de)電(diàn)阻，以此來(lái)進一( αε↓yī)步減小(xiǎo)待機(jī)時(sh×♥£í)的(de)功耗。芯片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補償電(d>​↕₹iàn)路(lù)，當電(diàn)路(lù)工(gōng)>₹©作(zuò)于大(dà)占空(kōng)比時(shí)，避免次諧波振蕩的δ♣φ≈(de)發生(shēng)，改善系統的(d§♦e)穩定性。內(nèi)置有(yǒu)前沿消隐時(shí) λσ"（Leading-edge blanking time）α♥ &，消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn) ™★♠流對(duì)電(diàn)路(lù)的(de)影(yǐng)響。ε∑SP6649 采用(yòng)了(le)抖頻(pín♦‍)技(jì)術(shù)，能(néng)夠有(yǒu)效改善系統的(de) σ→←$EMI 性能(néng)。系統的(de)跳(tiào)頻(pín)頻(p¶♥σín)率設置在音(yīn)頻(pín)(22KHz)以上(€™±¥shàng)，在工(gōng)作(zuò)時(shí)可λ≥&ε(kě)以避免系統産生(shēng)噪音(yīn)。SP6649 內®×Ω(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周期限流保±♠π∞護（OCP），過載保護（OLP），過壓保護（¶'£VDD OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）&∏等，通(tōng)過內(nèi)部的(de)圖騰±'柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo)的(de)改善系統€ 的(de) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(de)軟啓動控制(zhì δ♠)。