SP6649 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 P₩→WM 控制(zhì)芯片，內(nèi)置 650V 高(g¥₹āo)壓功率 MOSFET，應用(yòng)于功率在 30W 以內(ε£₽✔nèi)的(de)方案。SP6649 在 PWM 模式下(xià)工(gōng>₹)作(zuò)于固定開(kāi)關頻(pín)率☆εΩ，這(zhè)個(gè)頻(pín)率是(shì) αΩε由內(nèi)部精确設定。在空(kōng)載或者輕載時→±✔(shí)，工(gōng)作(zuò)頻(pí ≤ n)率由 IC 內(nèi)部調整。芯片↓​可(kě)以工(gōng)作(zuò)在綠(lǜ)色模式，以此來(lá✘'β‌i)減小(xiǎo)輕載時(shí)的(d↑"e)損耗，提高(gāo)整機(jī)的(de)工(gōng)作(zuπ±™ò)效率。SP6649 在啓動和(hé)工(gōng)作(zuò)時(shí≤≠)隻需要(yào)很(hěn)小(xiǎo)的(de)電(dià•§☆n)流，可(kě)以在啓動電(diàn)路(lù)中使用(y₩♠≥§òng)一(yī)個(gè)很(hěn)大(d​≤à)的(de)電(diàn)阻，以此來(lλ¶ái)進一(yī)步減小(xiǎo)待機(jī)時(shí)的(de)功耗。芯α§Ω片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(lù)， ₹§®當電(diàn)路(lù)工(gōng)作(zuò)于大(dà≥↕)占空(kōng)比時(shí)，避免次諧∏φ♥≥波振蕩的(de)發生(shēng)，改善™α≈✘系統的(de)穩定性。內(nèi)置有(yǒu)前沿消隐時(s‍¥φhí)（Leading-edge blank∞☆ing time），消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn)流對€←(duì)電(diàn)路(lù)的(de)影(‌ yǐng)響。SP6649 采用(yòng)了(le)抖頻(pín)技(™↓≈ jì)術(shù)，能(néng)夠有(yǒu)效改善系統的(d×σ↑e) EMI 性能(néng)。系統的(de)跳(tiào)頻(pín)頻(∑×¥↔pín)率設置在音(yīn)頻(pín)(2©π​÷2KHz)以上(shàng)，在工(gōng)作(zuò)時(shí)可(kε§α​ě)以避免系統産生(shēng)噪音(yīn)。 γ↓‌SP6649 內(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周期限流保護（O >•CP），過載保護（OLP），過壓保護（VDD OVP），VDD 過₩$±→壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等δ♦☆，通(tōng)過內(nèi)部的(de) ×∏圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo)的(de)改善系統↔γ的(de) EMI 特性和(hé)開(kā  "±i)關的(de)軟啓動控制(zhì)。