SP6649 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 PWM 控 •制(zhì)芯片，內(nèi)置 650V 高(gāo)>↕δ壓功率 MOSFET，應用(yòng)于功率在 30W 以內(nèi)的(☆↔de)方案。SP6649 在 PWM 模式下(xià)工(g¶"≤ōng)作(zuò)于固定開(kāi)關頻(pín)率，這(zhè)個¥<(gè)頻(pín)率是(shì)由內(nèi)部精确設定。在空(kōng)載≠★或者輕載時(shí)，工(gōng)作(zuò)頻(p•®Ωín)率由 IC 內(nèi)部調整。芯片可(kě)以工(gōn↑λσg)作(zuò)在綠(lǜ)色模式，以此來(l& σ'ái)減小(xiǎo)輕載時(shí)的φλπ (de)損耗，提高(gāo)整機(jī)的(de)工(gōng)作(zuò'♦)效率。SP6649 在啓動和(hé)工(gōng)作(zuò)時(s×δ©hí)隻需要(yào)很(hěn)小(x≈ ↔≤iǎo)的(de)電(diàn)流，可(kě)以在啓動電(dià≤$n)路(lù)中使用(yòng)一(yī↕♦₩≤)個(gè)很(hěn)大(dà)的(de)電(diàn)阻，‍&‍以此來(lái)進一(yī)步減小(xiǎo)待機(j©§≠☆ī)時(shí)的(de)功耗。芯片內(Ω♣•>nèi)置有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(lù)，當電(dià♦≈n)路(lù)工(gōng)作(zuò)于大(dà)占空(kōng)比時(sh∞₹í)，避免次諧波振蕩的(de)發生(shēng)，改善系統的(de÷ε)穩定性。內(nèi)置有(yǒu)前沿消隐時(shí)（L​↕eading-edge blanking time），消除 ¶緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn)流對(duì)電(d↑♥₩"iàn)路(lù)的(de)影(yǐng)響。←§↓SP6649 采用(yòng)了(le)抖頻(pín)↔♣σ₽技(jì)術(shù)，能(néng)夠‍β→有(yǒu)效改善系統的(de) EMI 性能(néng)。系統 €的(de)跳(tiào)頻(pín)頻(pín)率設置在音(yī↓¥n)頻(pín)(22KHz)以上(shàng)，在工β<‌(gōng)作(zuò)時(shí)可(kě)以避免系統産生(shēng)噪&©☆音(yīn)。SP6649 內(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周期限流保λ≤↕®護（OCP），過載保護（OLP），過壓保護（VDD OVP），VDD 過壓箝 ×‍÷位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通(tōng)過±™ ∏內(nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo)的(÷☆de)改善系統的(de) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(de)軟啓δ&動控制(zhì)。