SP6649 是(shì)一(yī)顆電(di←∑£àn)流模式 PWM 控制(zhì)芯片，內(nèi)置 650V' ≈" 高(gāo)壓功率 MOSFET，應用(yòng)于功率在 ₩₽'30W 以內(nèi)的(de)方案。SP6649 在 PWM 模式下π©(xià)工(gōng)作(zuò)于固定開(• kāi)關頻(pín)率，這(zhè)個(gè)₩♦頻(pín)率是(shì)由內(nèi)部精确設定。在空(kōng)載或者輕™<載時(shí)，工(gōng)作(zuò)頻(pín)率由 IC ©≤≠​內(nèi)部調整。芯片可(kě)以工(gōng)作(zu÷ δò)在綠(lǜ)色模式，以此來(lái)減小(xiǎo)輕→βγ 載時(shí)的(de)損耗，提高(gāo)整機★π(jī)的(de)工(gōng)作(zuò)效率。SP6649 在啓♣±£€動和(hé)工(gōng)作(zuò)時(sh✔§í)隻需要(yào)很(hěn)小(xiǎo)的(de)電(diàn)流，可(<★λkě)以在啓動電(diàn)路(lù)中使用(yò∏≈≥€ng)一(yī)個(gè)很(hěn)大(dà)的(de)電(d×↕₹→iàn)阻，以此來(lái)進一(yī)步減小(xiǎo)εα™ 待機(jī)時(shí)的(de)功耗。芯片內(φ™©®nèi)置有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(lù)，當電(diàn)路( ←lù)工(gōng)作(zuò)于大(dà®σβ♠)占空(kōng)比時(shí)，避免次諧波振蕩的(de↑↑)發生(shēng)，改善系統的(de)穩定性。內(n'☆≈èi)置有(yǒu)前沿消隐時(shí)（Leading-edge ββ∏©blanking time），消除緩沖網絡中的(de)二§π♠♠極管反向恢複電(diàn)流對(duì)電(d÷∑ ™iàn)路(lù)的(de)影(yǐng↔∏∞★)響。SP6649 采用(yòng)了(le)抖頻(pín)±"技(jì)術(shù)，能(néng)夠有(yǒu)效改善δ✔☆↑系統的(de) EMI 性能(néng)。系統的(d ∏e)跳(tiào)頻(pín)頻(pín)率設置在音(yīn)頻↓♠♣(pín)(22KHz)以上(shàng♦‍≥¶)，在工(gōng)作(zuò)時(shí€")可(kě)以避免系統産生(shēng)噪¶±σ 音(yīn)。SP6649 內(nèi)置多(duō)₹£‌種保護，包括逐周期限流保護（OCP），過載<≥保護（OLP），過壓保護（VDD OVP），VDD 過壓箝¥↓≤位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通(tōngγ→)過內(nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(≥♣hǎo)的(de)改善系統的(de) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的₽β₽σ(de)軟啓動控制(zhì)。