二極管具有(yǒu)單向導電(diàn)性，主要(yào)用(yòng)于整>→₽流、穩壓和(hé)混頻(pín)等電(dià÷£®©n)路(lù)中。本文(wén)介紹整流二極♠¥ 管和(hé)穩壓二極管的(de)參數(shù)及選擇原則。

(一(yī))整流二極管的(de)主要(yào)↕↔參數(shù)

1.IF—最大(dà)平均整流電(d​∏βiàn)流。

指二極管長(cháng)期工(gōng)作(zuò)時(shí)允許通(tō∑®♦ng)過的(de)最大(dà)正向平均電(diàn)流。該電(☆•diàn)流由PN結的(de)結面積和(hé)散熱(rè)條件(jiànφ>)決定。使用(yòng)時(shí)應注意通(tōng)過二極€≈→管的(de)平均電(diàn)流不(bù)能(néng)大(dà)于×λ此值，并要(yào)滿足散熱(rè)條件(jiàn)。例如(rú)1N40δ•π§00系列二極管的(de)IF為(wèi)1A。

2.VR—最大(dà)反向工(gōng)作(zuσ₩ ò)電(diàn)壓。

指二極管兩端允許施加的(de)最大(dà)反向電(diàn)壓。若大(dà)♦™'于此值，則反向電(diàn)流(IR)劇(jù)增，二極管的(de)單向&&•導電(diàn)性被破壞，從(cóng)而引起反向擊®£✘穿。通(tōng)常取反向擊穿電(dià✘↔‍n)壓(VB)的(de)一(yī)半作(zu↔¥πò)為(wèi)(VR)。例如(rú)1N4001的(de)VR為(w↕↓÷​èi)50V，1N4007的(de)VR為(wèi)1O♦≠λ≤OOV。

3.IR—反向電(diàn)流。

指二極管未擊穿時(shí)反向電(diàn)流值ε✘。溫度對(duì)IR的(de)影(yǐng)響很(hěn)大(dà≥αε)。例如(rú)1N4000系列二極管在100°β☆γ;C條件(jiàn)IR應小(xiǎo)于500uA;在25°C時(₹✔↑shí)IR應小(xiǎo)于5uA。

4.VR—擊穿電(diàn)壓。

指二極管反向伏安特性曲線急劇(jù)彎曲點的(de)電(diàn)壓值。反£∞★✘向為(wèi)軟特性時(shí)，則指給定反向漏電(diàn)流條件(j✔®iàn)下(xià)的(de)電(diàn)壓值。

5.tre—反向恢複時(shí)×​間(jiān)。

指在規定的(de)負載、正向電(diàn)流及最大(dà)反向瞬态★‍' 電(diàn)壓下(xià)的(de)反向恢複時(sδ€hí)間(jiān)。

6.fm—最高(gāo)工(gōng)作(zuò)頻(pín)©★✔率。

主要(yào)由PN結的(de)結電(diàn)容及‍₽€擴散電(diàn)容決定，若工(gōng)作(zuò)頻(pín)率超過↕∏★fm，則二極管的(de)單向導電(diàn)性能∑↔(néng)将不(bù)能(néng)很(hěn)©β♠γ好(hǎo)地(dì)體(tǐ)現(xi↓₽àn)。例如(rú)1N4000系列二極管的(d∏ ♠∑e)fm為(wèi)3kHz。

7.CO—零偏壓電(diàn)容。

指二極管兩端電(diàn)壓為(wèi)零時(shí)，擴散電(♠'♦♠diàn)容及結電(diàn)容的(de)容量之和(£∏hé)。值得(de)注意的(de)是(shì)，由于制(z'™hì)造工(gōng)藝的(de)限制(zhì₹ ×)，即使同一(yī)型号的(de)二極管其參數(shù§™©β)的(de)離(lí)散性也(yě)很(hěn)大(dà)。手冊中給出的(∞ de)參數(shù)往往是(shì)一(yī)個(gè<®>₹)範圍，若測試條件(jiàn)改變，則相(xiàng)應的(d ↔¶₩e)參數(shù)也(yě)會(huì)發生(shēng)變化(huà)×γ£，例如(rú)在25°C時(shí)測得(d←☆e)1N5200系列矽塑封整流二極管的(de)IR小(xiǎo)于1Ou®₩ ≈A，而在100°C時(shí)IR則變為(wèi)小(xiǎo)£§δε于500uA。

(二)穩壓二極管的(de)主要(yào)≠•>γ參數(shù)

1.Vz—穩定電(diàn)壓。

指穩壓管通(tōng)過額定電(diàn)流時‍♦™(shí)兩端産生(shēng)的(de)穩定電(diàn)壓值。該值£¥≤'随工(gōng)作(zuò)電(diàn)流和(hé)溫度的(de)不(bù≥<)同而略有(yǒu)改變。由于制(zhì)造工(gōng)藝的(de)差别，π✘γΩ同一(yī)型号穩壓管的(de)穩壓值也(yě)不(bù)完全一(yī)緻₽→♥。例如(rú)，2CW51型穩壓管的(de)Vzmin​•‌為(wèi)3.0V, Vzmax則為(wèi)3.6♥↓V。

2.Iz—穩定電(diàn)流。

指穩壓管産生(shēng)穩定電(diàn)壓時(shíγ¶)通(tōng)過該管的(de)電(diàn)流值。低(d→↕ī)于此值時(shí)，穩壓管雖并非不(bù)能(néng)穩壓，但(d÷σ∑àn)穩壓效果會(huì)變差;高(gāo)于此值時(shΩΩí)，隻要(yào)不(bù)超過額定功率&✔損耗，也(yě)是(shì)允許的(de)，而且穩壓性₩'能(néng)會(huì)好(hǎo)一(y αī)些(xiē)，但(dàn)要(yào)多(duō)消耗電(diàn)能(✘φ'néng)。

3.Rz—動态電(diàn)阻。

指穩壓管兩端電(diàn)壓變化(huà)與電£Ω★(diàn)流變化(huà)的(de)比值。該比值随工(gōng)作₽✘λ↕(zuò)電(diàn)流的(de)不(bù)同而改變，一(yī)般≤§是(shì)工(gōng)作(zuò)電(diàn)流愈大(dà)，動态電•♣"(diàn)阻則愈小(xiǎo)。例如(rú)，2CW7C穩壓管的(de)工('₩gōng)作(zuò)電(diàn)流為(wèi)5mA時(shí)，R♥✘ z為(wèi)18Ω;工(gōng)作(zuò)電≈¶∞α(diàn)流為(wèi)1OmA時(shí)，R±©§∏z為(wèi)8Ω;為(wèi)20mA時(shí)，R‌₽×z為(wèi)2Ω;>20λ÷mA則基本維持此數(shù)值。

4.Pz—額定功耗。

由芯片允許溫升決定，其數(shù)值為(wèασi)穩定電(diàn)壓Vz和(hé)允許最大(dà)電(d<≈δ✘iàn)流Izm的(de)乘積。例如(rú)2Cπ W51穩壓管的(de)Vz為(wèi)3V，Izm為(wèiπ✔§)20mA，則該管的(de)Pz為(wèi)60mWo 5.Ctv&mdasπ÷h;電(diàn)壓溫度系數(shù)。是(shλ♦₹‍ì)說(shuō)明(míng)穩定電(diàn)壓值受溫度影(yǐnγ>g)響的(de)參數(shù)。例如(rú)2CW5☆Ω✔8穩壓管的(de)Ctv是(shì)+0.07%/°C，即溫度₩∏₩↕每升高(gāo)1°C，其穩壓值将升高(gāo)0.≈ 07%。 6.IR— 反向漏電(diàn)流。 指穩壓二極管在規₹☆€定的(de)反向電(diàn)壓下(xià)産生(shēng)的$ε÷(de)漏電(diàn)流。例如(rú)2CW58穩壓管的(de)VR=1V時♥↓ ♥(shí)，IR=O.1uA;在VR=6V時(shí)，IR=10uA‍≠π。

(三)選擇二極管的(de)基本原則

1.要(yào)求導通(tōng)電(diàn)壓低(dī)時(shí)選鍺£≤管;要(yào)求反向電(diàn)流小(xiǎo)時(shλβ↑í)選矽管。

2.要(yào)求導通(tōng)電(diàn)流大(dà)時(shí↑₹•)選面結合型;要(yào)求工(gōng)作(zuò)δ'§頻(pín)率高(gāo)時(shí)選點接觸型。

3.要(yào)求反向擊穿電(diàn)壓高(gāo)時(shí)選矽管。πδ

4.要(yào)求耐高(gāo)溫時(shí)選矽管。✘>★