近(jìn)年(nián)來(lái)，電(diàn)子(zǐ)技(jì)↔&ε 術(shù)的(de)發展，使得(de)電(dΩγiàn)路(lù)的(de)工(gōng)作(zuò)電(diàn)壓​$≥越來(lái)越低(dī)、電(diàn)流越來(l♦✘↑'ái)越大(dà)。低(dī)電(diàn)壓工(gōng)Ω<ε&作(zuò)有(yǒu)利于降低(dī)電(diàn)路(lù)的(de)整‍&£體(tǐ)功率消耗，但(dàn)也(yě)給電(diàn)源設計(jì)提出了•£∏←(le)新的(de)難題。開(kāi)關電(diàn)源的(de)損耗主要γ≥∏♥(yào)由3部分(fēn)組成：功率開(kāσ €i)關管的(de)損耗，高(gāo)頻(pín)變壓器(qì)的(Ωπ®de)損耗，輸出端整流管的(de)損耗。在低(dī)電(απ♥diàn)壓、大(dà)電(diàn)流 ←輸出的(de)情況下(xià)，整流二極管的(de)導通(tō₹₽∑™ng)壓降較高(gāo)，輸出端整流管的(de₹§♥★)損耗尤為(wèi)突出。

快(kuài)恢複二極管(FRD)或超快(kuài)恢複二極管(SRD)可(α×kě)達1.0～1.2V，即使采用(yòng)低(dī)壓降的(de)肖特基←εΩ§二極管(SBD)，也(yě)會(huì)産生(shēng)大( φ↔λdà)約0.6V的(de)壓降，這(zhè)就(jiù)導緻整流↕≠♠♦損耗增大(dà)，電(diàn)源效率降低(dī• '¶)。 舉例說(shuō)明(míng)，目前筆(bǐ)記本電(diàn)腦(βσnǎo)普遍采用(yòng)3.3V甚至1.8V₽α©≥或1.5V的(de)供電(diàn)電(d↓φβiàn)壓，所消耗的(de)電(diàn)流可(kě)達20A∞€‍≈。此時(shí)超快(kuài)恢複二極管的(de)整流損耗已接近(jìn)甚‍‌₽→至超過電(diàn)源輸出功率的(de)50%。即使采用(yòng)肖特基二♠​↕γ極管，整流管上(shàng)的(de)損耗也(yě)會(σ₽γ↓huì)達到(dào)(18%～40%)PO，占電(♥↕'diàn)源總損耗的(de)60%以上(shàng)。因此，傳統的(dφ©e)二極管整流電(diàn)路(lù)已無法滿足實♠↑☆現(xiàn)低(dī)電(diàn)壓、大(dà)電(diàn)流開♥‍±(kāi)關電(diàn)源高(gāo)效率及小(xiǎo)‌÷♠¶體(tǐ)積的(de)需要(yào)，成為(wèi↕ &)制(zhì)約DC/DC變換器(qì)提高(gāo)效率的(de)瓶頸。