二極管具有(yǒu)單向導電(diàn)性，主要(yào)用↕€★(yòng)于整流、穩壓和(hé)混頻(pín)等電(★$<diàn)路(lù)中。本文(wén)介紹'•↑整流二極管和(hé)穩壓二極管的(de)參數(shù)及選擇原則。

(一(yī))整流二極管的(de)主要(yào)參數(shù)∏↓•

1.IF—最大(dà)平均整流電(diàn)流。

指二極管長(cháng)期工(gōng)作(zuò)時(shí)允許通(tα•ōng)過的(de)最大(dà)正向平均電(dià♠↔₹ n)流。該電(diàn)流由PN結的(de)結面積和(hé)散熱(rè)條λ‍₩件(jiàn)決定。使用(yòng)時(shí)應注意通(tōn"↕‌g)過二極管的(de)平均電(diàn)流不(bù)能≠↓(néng)大(dà)于此值，并要(yào)滿足散熱(§±♥rè)條件(jiàn)。例如(rú)1N4♦ ↕000系列二極管的(de)IF為(wèi)1A。

2.VR—最大(dà)反向工(gōng)作(zuò)β©₽電(diàn)壓。

指二極管兩端允許施加的(de)最大(dà)反向電(diàn)壓。φ×γ若大(dà)于此值，則反向電(diàn)流(IR)劇(∑♠♣jù)增，二極管的(de)單向導電(diàn)性被破壞，從(✘≤β∑cóng)而引起反向擊穿。通(tōng)γπ≈α常取反向擊穿電(diàn)壓(VB)的(de)一(✘™®≤yī)半作(zuò)為(wèi)(VR)。例如(rú)1N4001的(β♥​$de)VR為(wèi)50V，1N4007的(de)VR為(wèi)↑ ↓1OOOV。

3.IR—反向電(diàn)流。

指二極管未擊穿時(shí)反向電(diàn)流值。溫度對(duì)IR的(§φde)影(yǐng)響很(hěn)大(d•>"à)。例如(rú)1N4000系列二極管在100°C條£←≠♠件(jiàn)IR應小(xiǎo)于500uA;在25∑→‍Ω°C時(shí)IR應小(xiǎo)于5uA。

4.VR—擊穿電(diàn)壓。

指二極管反向伏安特性曲線急劇(jù)彎曲點的(dα∑πe)電(diàn)壓值。反向為(wèi)軟特性時φ§∞<(shí)，則指給定反向漏電(diàn)流條件(jiàn)下(x¶>Ωλià)的(de)電(diàn)壓值。

5.tre—反向恢複時(shí)間(jiān)₩λ←↓。

指在規定的(de)負載、正向電(diàn)流及最大(dà)反向瞬态電(↔↑diàn)壓下(xià)的(de)反向恢☆''✘複時(shí)間(jiān)。

6.fm—最高(gāo)工(gōng)作£φ™δ(zuò)頻(pín)率。

主要(yào)由PN結的(de)結電(diàn)容及擴散電(diàn)容Ω​ 決定，若工(gōng)作(zuò)頻(pín)率超過fm，則二極管的(de)σ¥₹'單向導電(diàn)性能(néng)将不(bù)能(néng♠>γ)很(hěn)好(hǎo)地(dì)體(t​ ǐ)現(xiàn)。例如(rú)1N4000©∞→系列二極管的(de)fm為(wèi)3kHz。

7.CO—零偏壓電(diàn)容。

指二極管兩端電(diàn)壓為(wèi)零時(shí)，擴散∑↑電(diàn)容及結電(diàn)容的(de)容量之和(hé)<λ'。值得(de)注意的(de)是(shì)，由于制(zhì)造工(gōng)藝的♣γ☆(de)限制(zhì)，即使同一(yī)型号的(∞&≤de)二極管其參數(shù)的(de)離(lí)散性也(‌>$yě)很(hěn)大(dà)。手冊中給出的(de)參數(shù)往往是≥↓¶≠(shì)一(yī)個(gè)範圍，若測試條件(ji♠• àn)改變，則相(xiàng)應的(de)參數(shù)也(yě)會(hδ≠✘±uì)發生(shēng)變化(huà)，例如(δ∑'≤rú)在25°C時(shí)測得(de)1®∞≥©N5200系列矽塑封整流二極管的(de)IR小(xiǎo)于1OuA，而 ♦​在100°C時(shí)IR則變為(wèi)小(xiǎo)于500®£↑∏uA。

(二)穩壓二極管的(de)主要(yào)參數(shù)

1.Vz—穩定電(diàn)γ₩ε壓。

指穩壓管通(tōng)過額定電(diàn)流時(shí)兩端&•¥産生(shēng)的(de)穩定電(diàn)壓值α£​δ。該值随工(gōng)作(zuò)電(dε∑®δiàn)流和(hé)溫度的(de)不(bù)同而略有(yǒu)改變。由于制(z≤★εεhì)造工(gōng)藝的(de)差别，同£'β一(yī)型号穩壓管的(de)穩壓值也(y≥≈¥δě)不(bù)完全一(yī)緻。例如(rσ ✔ú)，2CW51型穩壓管的(de)Vzmin為(wèi)3.0V,§¥Ω Vzmax則為(wèi)3.6V。

2.Iz—穩定電(diàn)流。

指穩壓管産生(shēng)穩定電(diàn)壓時(shí)通(t‍★σεōng)過該管的(de)電(diàn)流值。低(dī)于此值時✘δ(shí)，穩壓管雖并非不(bù)能(néng)穩壓，但(dàn)穩壓效果↔♥ <會(huì)變差;高(gāo)于此值時(shí)，隻要(yào)β α不(bù)超過額定功率損耗，也(yě)是(sh®‌≈©ì)允許的(de)，而且穩壓性能(néng)δ₽會(huì)好(hǎo)一(yī)些(xiē)，但(dàn)要(yào)多(☆γ•duō)消耗電(diàn)能(néng)。

3.Rz—動态電(diàn)阻。δ☆

指穩壓管兩端電(diàn)壓變化(huà) ←✔∏與電(diàn)流變化(huà)的(de)比值。該比值随工(gōng)作(z≠≈♠uò)電(diàn)流的(de)不(bù)同✘×™而改變，一(yī)般是(shì)工(gōng)$↕×作(zuò)電(diàn)流愈大(dà)，動态電(€☆diàn)阻則愈小(xiǎo)。例如(rú)，2CW7C穩 <∏≈壓管的(de)工(gōng)作(zuò)電(dià$→€≤n)流為(wèi)5mA時(shí)，Rz為(wèi)18☆•↑Ω;工(gōng)作(zuò)電(diàn)流為≠π(wèi)1OmA時(shí)，Rz為(w‍"èi)8Ω;為(wèi)20mA時(sσ'≠hí)，Rz為(wèi)2Ω;>20mA則基本維持此數☆↕₹φ(shù)值。

4.Pz—額定功耗。

由芯片允許溫升決定，其數(shù)值為(wèi)穩定電(diàn)壓Vz和(↔¶hé)允許最大(dà)電(diàn)流Iz™→m的(de)乘積。例如(rú)2CW51穩壓管的(de)Vz為(w₹≤èi)3V，Izm為(wèi)20mA，則該管的(de)Pz為(wèi)★φ®±60mWo 5.Ctv—電(diàn)壓溫度系數(shù♥‌♥×)。是(shì)說(shuō)明(míng)穩定電(diàn)壓值受溫度影λ→←π(yǐng)響的(de)參數(shù)。≈ 例如(rú)2CW58穩壓管的(de)Ctv是(shì)+0.0σ↓7%/°C，即溫度每升高(gāo§±→€)1°C，其穩壓值将升高(gāo)0.07%。 ↔©π6.IR— 反向漏電(diàn♣™α)流。 指穩壓二極管在規定的(de)反向電(diàn)壓下> ​(xià)産生(shēng)的(de)漏電(di≤<✔àn)流。例如(rú)2CW58穩壓管的(de&→)VR=1V時(shí)，IR=O.1uA;<÷₽♥在VR=6V時(shí)，IR=10uA。

(三)選擇二極管的(de)基本原則

1.要(yào)求導通(tōng)電(diàn)壓低(dī)時(s&€¶hí)選鍺管;要(yào)求反向電(diàn)流小(xiǎo)時(≤ ©♣shí)選矽管。

2.要(yào)求導通(tōng)電(diàn)流大(dà)時(sh ←í)選面結合型;要(yào)求工(gōng)作(zuò‍↑₽γ)頻(pín)率高(gāo)時(shí)選點接∞"觸型。

3.要(yào)求反向擊穿電(diàn)壓高®≥(gāo)時(shí)選矽管。

4.要(yào)求耐高(gāo)溫時(shí)選矽管。