近(jìn)年(nián)來(lái)，電(diΩ≠× àn)子(zǐ)技(jì)術(shù)的(de)發展，使得(de)≥♣電(diàn)路(lù)的(de)工(g↓±₩≤ōng)作(zuò)電(diàn)壓越來≠¶♥(lái)越低(dī)、電(diàn)流越來(lái)越大(dà)。低(d>←φī)電(diàn)壓工(gōng)作(zuò)有(yǒu)利于降低(d↓"♥ī)電(diàn)路(lù)的(de)整體(tǐ)功率消耗，但(★‌©♠dàn)也(yě)給電(diàn)源設計(jì)提出了(le)新的π♥ ↕(de)難題。開(kāi)關電(diàn)源的(d‌♠₽βe)損耗主要(yào)由3部分(fēn)組成：功率開(kāi)關↓σ管的(de)損耗，高(gāo)頻(pín)變¥​π✔壓器(qì)的(de)損耗，輸出端整流管的(de)損耗。在低(€↓≠dī)電(diàn)壓、大(dà)電(diàn)流輸出的(de)情況下(xià♣δ™)，整流二極管的(de)導通(tōng)壓降較高(g€↔↔āo)，輸出端整流管的(de)損耗尤為(wèi•‍©$)突出。

快(kuài)恢複二極管(FRD)或超快(kuài)恢"Ω$複二極管(SRD)可(kě)達1.0～1.2V，即使采用(yòng)低♦♠σ™(dī)壓降的(de)肖特基二極管(SBD)，也(yě)會(huì)産生¥↓(shēng)大(dà)約0.6V的(de)壓降，這(zhè‌∞)就(jiù)導緻整流損耗增大(dà)，電(diàn‍₩)源效率降低(dī)。 舉例說(shuō♦§♠§)明(míng)，目前筆(bǐ)記本電(diàβ∑α®n)腦(nǎo)普遍采用(yòng)3.3V甚至1.8V或1.5V的↑↔←(de)供電(diàn)電(diàn)壓，•≈×≥所消耗的(de)電(diàn)流可(kě)達20A。此時(sh≥ ♥í)超快(kuài)恢複二極管的(de)整流損耗已接近(jìn)甚至超過電(d♥α'iàn)源輸出功率的(de)50%。即使采用(y♥€òng)肖特基二極管，整流管上(shàng)的(de)損耗也(yěφεφ₽)會(huì)達到(dào)(18%～40%)P ♠♣O，占電(diàn)源總損耗的(de)60%以上(shàng)♠ ±。因此，傳統的(de)二極管整流電(diàn←¥₽π)路(lù)已無法滿足實現(xiàn)低(dī)電(di ♦•←àn)壓、大(dà)電(diàn)流開(kāi)關電(diàn)源高(gāo)≠∏效率及小(xiǎo)體(tǐ)積的(de)需要(yào)，成為(w♣•☆èi)制(zhì)約DC/DC變換器(qì)提高(gāo<‌¶)效率的(de)瓶頸。