SP6566AFB是(shì)一(yī)顆高(gāo)性能♠•(néng)的(de)開(kāi)關電(diàn)源次級側同步整流控✔σ制(zhì)電(diàn)路(lù)。在©σ™•低(dī)壓大(dà)電(diàn)流開(kāi)✔≠ 關電(diàn)源應用(yòng)中，輕松滿足‌♦↕♠6級能(néng)效，是(shì)理(lǐ)想的(d←≠¶e)超低(dī)導通(tōng)壓降整流器(qì¥ ∏α)件(jiàn)的(de)解決方案。芯片可(kě)支持高(gāσλεo)達150KHz 的(de)開(kāi)關頻(pí•Ωn)率應用(yòng)，并且支持CCM/QR/DCM等開(kāi)關電(di ©àn)源工(gōng)作(zuò)模式應用(yòng)，其極低(d↔★ī)導通(tōng)壓降産生(shēng)的(de)損耗遠(yuǎn)小(x¶§ iǎo)于肖特基二極管的(de)導通(tōng)α​€損耗，極大(dà)提高(gāo)了(le)系統的(de)轉換效率，大(dà₹÷★)幅降低(dī)了(le)整流器(qì)件(jiàn)的(de✔₽↓)溫度。芯片內(nèi)置耐壓60V的(de)NMOSF∏§πET同步整流開(kāi)關，且具有(yǒu)極低(dī)的(de)內(n>​èi)阻，可(kě)提供系統高(gāo)達3A的(de)應用©∞π₽(yòng)輸出;還(hái)內(nèi)置了(le)高(gāo)壓直∞‌ 接檢測技(jì)術(shù)，耐壓高(gāo)達150V≈♥;以及自(zì)供電(diàn)技(jì)術(shù÷÷₹)極大(dà)擴展了(le)輸出電(diàn)壓應用(yòng)λ↓&範圍。

應用(yòng)範圍

（1）3.3V~12V快(kuài)充電(diàn)源  &nb€₽sp; （2）低(dī)壓大(dà)電(diàn±δ≈)流電(diàn)源 （3） 高(gāo)能(néng)效開(kāi)∏"§•關電(diàn)源