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具備國(guó)內(nèi)先進設備
采用(yòng)ERP系統管理(lǐ),更專業(yèλσ)化(huà)
SP6518F
SP6518F 是(shì)一(yī)顆高(gāo)性∑ 能(néng)的(de)開(kāi)關電(diàn '×↑)源次級側同步整流控制(zhì)電(dià↔≈n)路(lù)。在低(dī)壓大(dà)電(diàn)流開(kāi)關電(d¶>iàn)源應用(yòng)中,輕松滿足 6 級能(néng)效,是★♥♠(shì)理(lǐ)想的(de)超低(dī)導通(tōng)壓>®降整流器(qì)件(jiàn)的(de)解決方案。芯片可(kě)支持高(gā×Ω"εo)達 150kHz的(de)開(kāi)關頻(pín)率應用(yòng←λ<¶),并且支持 CCM / QR / DCM 等開(kāi)關電(di™€àn)源工(gōng)作(zuò)模式應用(yπ±≈òng),其極低(dī)導通(tōng)壓降産→生(shēng)的(de)損耗遠(yuǎ€₽n)小(xiǎo)于肖特基二極管的(de)<導通(tōng)損耗,極大(dà)提高(gāo)了(le)系統的♦(de)轉換效率,大(dà)幅降低(dī)了(le)整流器(qì)件(£Ωjiàn)的(de)溫度。
芯片內(nèi)置耐壓80V的(de)NMOSFET§✔♣同步整流開(kāi)關,且具有(yǒu)極低(dī)的(de)↑δ§£內(nèi)阻,典型 RdsON 低(dī)至 10m&Omegδ≤ a;,可(kě)提供系統高(gāo)達 3A 的≈÷(de)應用(yòng)輸出;還(hái)內(nèi)λ♦★置了(le)高(gāo)壓直接檢測技(jìΩ€₽₹)術(shù),耐壓高(gāo)達 200V;以及自(zπφγì)供電(diàn)技(jì)術(shù)極"↕∞ε大(dà)擴展了(le)輸出電(diàn)壓應用(y↔↓<∏òng)範圍。
應用(yòng)範圍
(1)3.3V3A~12V3A、快(kuài)充電(diàn)源 ₹¥σδ(2)18W-PD(PPS)快(kuài)充電✔φ☆$(diàn)源 (3)高(gāo)能(n☆>π★éng)效開(kāi)關電(diàn)源