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具備國(guó)內(nèi)先進設備
采用(yòng)ERP系統管理(lǐ)，更專業(yè)化(↔ huà)
SP6519F
SP6519F 是(shì)一(yī)顆高(gāo)性能(néβδ>λng)的(de)開(kāi)關電(diàn)源次級₹&側同步整流控制(zhì)電(diàn)路(lΩ¥'ù)。在低(dī)壓大(dà)電(diàn)流開(kāi)關電(diàn÷✘)源應用(yòng)中，輕松滿足 6 級能(néng)效，是(≠♣¶←shì)理(lǐ)想的(de)超低(dī)導通(tōnδ₹¥g)壓降整流器(qì)件(jiàn)的(de★≥<)解決方案。芯片可(kě)支持高(gāo)達®Ω© 150kHz的(de)開(kāi)關頻(pín )率應用(yòng)，并且支持 CCM / QR / DCM↔≠λ 等開(kāi)關電(diàn)源工(gōng)作(zuò)βφ↓模式應用(yòng)，其極低(dī)導通☆∞(tōng)壓降産生(shēng)的(de)損£≈↑<耗遠(yuǎn)小(xiǎo)于肖特基二極管的(de)導通(tōng)損耗∞$$，極大(dà)提高(gāo)了(le)系統的(de)轉換效率，大(dà)幅降 →λ低(dī)了(le)整流器(qì)件(jiàn)的( γ↔de)溫度。
芯片內(nèi)置耐壓 100V 的(de) NMOSFET 同步♣Ω↕±整流開(kāi)關，且具有(yǒu)極低(dī)的(de)內(nèi≥♥)阻，典型 RdsON 低(dī)至 10m&♣¶γγOmega;，可(kě)提供系統高(gāo)達 3A 的(de¥★)應用(yòng)輸出；還(hái)內(nèi)置了(le)高(gāo)壓直接•φ>檢測技(jì)術(shù)，耐壓高(gāo)達 200V；"$以及自(zì)供電(diàn)技(jì)術(shù)極大(d ✔"&à)擴展了(le)輸出電(diàn)壓應用(yòng)範λ¥×圍。
應用(yòng)範圍
(1)3.3V3A~15V3A 快(kuài)充電(α ÷>diàn)源 (2)低(dī)壓大(dà)電(dià♣₩δ§n)流電(diàn)源 (3)高(gāo™σ €)能(néng)效開(kāi)關電(diàn)源
