SP6639HF 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 PWM 控β$制(zhì)芯片，內(nèi)置功率 MOSFET↑¥≥δ，用(yòng)于功率在 27W 以內(nèi↑↕↔)的(de)方案。該芯片在系統輸出空(kōng)載時(shí)工(gōn↓∏φ₹g)作(zuò)在跳(tiào)頻(pín↑♥)模式，在系統輸出輕載到(dào)中等負載階段工(gōng)>≠→ 作(zuò)在 PFM 模式，在輸出重載時(shí)工(gōng)作(zuΩ¥∞ò)在最大(dà)恒定工(gōng)作(zuò)®♦頻(pín)率。SP6639HF 的(de)啓動電(dià✘&→n)流和(hé)工(gōng)作(zuò)電(di₽βγàn)流設定的(de)比較小(xiǎo)，以此減αβ₩π小(xiǎo)待機(jī)時(shí)的(de)功耗。芯片內(nèi)置有¥ε(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(lù)，避免次諧波振蕩的(de)發生(sh✔★∞ēng)，改善系統的(de)穩定性。芯片內(nèiε¥®∏)置有(yǒu)前沿消隐時(shí)間(jiān)（Leading∏¥>-edge blanking time），消除<α緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(di$γ₩àn)流對(duì)電(diàn)路(lù)的(d☆÷e)影(yǐng)響。該芯片帶有(yǒu)抖頻(pín)功能¶γ¥(néng)，能(néng)夠有(yǒu)效改善系統的(de) EMI 性能(÷♥×¥néng)。芯片最低(dī)的(de)工(gōng'→¶)作(zuò)頻(pín)率設置在音(yīn)頻(pín)以®₹¥上(shàng)，在工(gōng)作(zuò)時(shí)可(k"↑↕ě)以避免系統産生(shēng)噪音(yīn)。SP6639H§≤F 內(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周期限'‌流保護（OCP），過壓保護（OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保護（UVL±♠ O），過溫保護（OTP）等，通(tōng)過內(nèi)部的(∏ πde)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo)的(de)改善系統的±£↕(de) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(de)軟啓動★©∞™控制(zhì)。SP6639HF 使用(yòng) SOP8 無鉛封裝。