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具備國(guó)內(nèi)先進設備
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SP6638HF
SP6638HF 是(shì)一(yī)顆電(δ∏₩πdiàn)流模式 PWM 控制(zhì)芯片β•,內(nèi)置功率 MOSFET,用(yòng)于功率在 18W☆¶₹' 以內(nèi)的(de)方案。該芯片在系統輸出空(kōng)載時(shí)工π(gōng)作(zuò)在跳(tiào)頻$>(pín)模式,在系統輸出輕載到(dào)中₹ 等負載階段工(gōng)作(zuò)在 PFM 模式,在輸出☆±重載時(shí)工(gōng)作(zuò)在最大(dà)恒定工(gōng)作'δ(zuò)頻(pín)率。SP6638HF 的(de)啓動∏©∑π電(diàn)流和(hé)工(gōng)作(z ₩σuò)電(diàn)流設定的(de)比較小(xiǎo),以此減♦$€小(xiǎo)待機(jī)時(shí)的(de)功耗。芯片內(nèi)置β有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(lù),避免次諧波振蕩的(d✔ ↔γe)發生(shēng),改善系統的(de)穩定性。芯片內(nèi) ®♦置有(yǒu)前沿消隐時(shí)間(jiān) ♥σ(Leading-edge blanking time),消←✘β∑除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn)流對(duì)電(diàn<♠♠®)路(lù)的(de)影(yǐng)響。該芯£×•片帶有(yǒu)抖頻(pín)功能(néng),能(néng)夠有(yǒu¥™)效改善系統的(de) EMI 性能(néng)。芯片最γ¶β$低(dī)的(de)工(gōng)作(zuò)頻(píα©¥♥n)率設置在音(yīn)頻(pín)以上(↕₽♥¶shàng),在工(gōng)作(zuò)時(shí)可(kě)以避免系統産生↓π(shēng)噪音(yīn)。SP6638HF 內(nèi)置多(d™±↑uō)種保護,包括逐周期限流保護(OCP),過壓保護(OVP),VDD♦¥δ 過壓箝位,欠壓保護(UVLO),過溫保護(OTP)等,通₩→§(tōng)過內(nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(kě)←≥ 以更好(hǎo)的(de)改善系統的(de) EMI 特性和(hé)開(§∏≠δkāi)關的(de)軟啓動控制(zhì)。SP6638HF 使用(yαòng) SOP8 無鉛封裝。
應用(yòng)範圍
(1)充電(diàn)器(qì) (>↔2)PDA、數(shù)碼相(xiàng)機(jī)、攝像機(jαγī)電(diàn)源适配器(qì) (3)機(jīβ≠')頂盒電(diàn)源 (4)開(kā$£εi)放(fàng)框架式開(kāi)關電(diàn)★↑♦源 (5)個(gè)人(rén)電(diàn)腦(nǎo)輔&Ω助電(diàn)源