SP6639HF 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式≤< PWM 控制(zhì)芯片，內(nèi)置功≤↑率 MOSFET，用(yòng)于功率在 27W 以內(nèi)的(dλ∑®₽e)方案。該芯片在系統輸出空(kōng)載時(shí)工(gōng)作(zu> ò)在跳(tiào)頻(pín)模式，在系統輸出輕載到(dà≥ o)中等負載階段工(gōng)作(zuò)在 PFM 模式，在輸出重載時(sh§ εí)工(gōng)作(zuò)在最大(dà)恒定工(gōngπ §∑)作(zuò)頻(pín)率。SP6639HF 的(‍€de)啓動電(diàn)流和(hé)工(gōng)作(zuò)電(diàn)流 ↑設定的(de)比較小(xiǎo)，以此減小(xiǎo)待機<•γ♦(jī)時(shí)的(de)功耗。芯片內(nèi)置有(yǒu↔φ)斜坡補償電(diàn)路(lù)，避免次諧波振蕩¶±¥的(de)發生(shēng)，改善系統的(de)穩✘♠ ♥定性。芯片內(nèi)置有(yǒu)前沿消隐時(shí)間(jiān)（L←↑♦λeading-edge blanking timδ>•e），消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(di> ♥àn)流對(duì)電(diàn)路(lù)的(de)​™₹影(yǐng)響。該芯片帶有(yǒu)抖頻♥←₽★(pín)功能(néng)，能(néng)夠有(yǒu)效改善系統的(d¥®™♦e) EMI 性能(néng)。芯片最低(dī)的(de)工(gō♥₽≥ng)作(zuò)頻(pín)率設置在音(yīn)頻(pín)以上(₽≤shàng)，在工(gōng)作(zuò)時(shí)可(kě)以避免系統産' λ₹生(shēng)噪音(yīn)。SP6639→≠HF 內(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周期限流保護（OCP∏σ），過壓保護（OVP），VDD 過壓箝位>∏✔，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通(tō₩♠"ng)過內(nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(k×​∑φě)以更好(hǎo)的(de)改善系統的(de) EMI 特性和(βΩhé)開(kāi)關的(de)軟啓動控制(zh★£ì)。SP6639HF 使用(yòng) SOP8 無鉛封裝。