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具備國(guó)內(nèi)先進設備
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SP6638HF
SP6638HF 是(shì)一(yī)顆電(diàn)φ☆®流模式 PWM 控制(zhì)芯片,內(€∞>εnèi)置功率 MOSFET,用(yòng)于功₩γ≠率在 18W 以內(nèi)的(de)方案。該芯片在系< σ統輸出空(kōng)載時(shí)工(gōng)作(zδ¥uò)在跳(tiào)頻(pín)模式,↕ π 在系統輸出輕載到(dào)中等負載階段工(gōng)作(zuò←γ₹)在 PFM 模式,在輸出重載時(shí)工(gōΩ≠&ng)作(zuò)在最大(dà)恒定工(gōng)作(zuò)頻(pín±>)率。SP6638HF 的(de)啓動電(d÷"∑iàn)流和(hé)工(gōng)作(zuò)電(diàn₹♥<)流設定的(de)比較小(xiǎo),以此減小(∏©xiǎo)待機(jī)時(shí)的(de™γ)功耗。芯片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(lù),φε避免次諧波振蕩的(de)發生(shēng),改善系統的(de)穩定 ↔¶性。芯片內(nèi)置有(yǒu)前沿消隐時(σ∑"€shí)間(jiān)(Leading-edge b≠ § lanking time),消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電<↑α™(diàn)流對(duì)電(diàn)路(l πù)的(de)影(yǐng)響。該芯片帶有(yǒu)抖頻'€ (pín)功能(néng),能(néng)夠有(yǒu©φ★€)效改善系統的(de) EMI 性能(néng)。芯片最§÷•低(dī)的(de)工(gōng)作(zuò)頻(pín)率設置在音( ∑yīn)頻(pín)以上(shàng),在工(gōng)作(zuò)時(≈™πshí)可(kě)以避免系統産生(shēng >≥♥)噪音(yīn)。SP6638HF 內(nèi)置多(♠≠duō)種保護,包括逐周期限流保護(OCP),過壓保護(OVP),V©≈DD 過壓箝位,欠壓保護(UVLO),過溫保護(OTP)等,通(t$€ōng)過內(nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(k₩≠ ě)以更好(hǎo)的(de)改善系統的(de) EMI 特性和(hé)開(✔♦ kāi)關的(de)軟啓動控制(zhì)。SP6638HF 使∏ ☆₩用(yòng) SOP8 無鉛封裝。
應用(yòng)範圍
(1)充電(diàn)器(qì) (2)PDA、數(shù£"€)碼相(xiàng)機(jī)、攝像機(jī)×↓•α電(diàn)源适配器(qì) (3)機(jī)頂盒電(diàn↓¶δε)源 (4)開(kāi)放(fàng)框架式γ↑開(kāi)關電(diàn)源 (5)個(gè)人(r§β>✘én)電(diàn)腦(nǎo)輔助電(diàn)源