SP6639HF 是(shì)一(yī)顆電(dπ≈φiàn)流模式 PWM 控制(zhì)芯片，內(nèi)置功率 MOSFET✔→‍≈，用(yòng)于功率在 27W 以內(nèi)的(de✘≠)方案。該芯片在系統輸出空(kōng)載時(shí)工(gōng$§♦)作(zuò)在跳(tiào)頻(pín)模式，在系統輸出輕載到≤$→(dào)中等負載階段工(gōng)作(z∏←₩σuò)在 PFM 模式，在輸出重載時(shí)工(gōng)作(zuò)在最大↔ ♥γ(dà)恒定工(gōng)作(zuò)頻(pín)率。SP66λ 39HF 的(de)啓動電(diàn)流和≈¥→β(hé)工(gōng)作(zuò)電(diàn)流設定的(dφα×e)比較小(xiǎo)，以此減小(xiǎo)待機(jī)時(shí)的(de)"γ功耗。芯片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(lù)，避免✘γ¶次諧波振蕩的(de)發生(shēng)，改善系統的(d ÷e)穩定性。芯片內(nèi)置有(yǒu)前沿消隐時(sh↑↕≤✘í)間(jiān)（Leading-edge blanking time），消¥π除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn)流對(du&♣♦ì)電(diàn)路(lù)的(de)影(yǐng)響♣ε。該芯片帶有(yǒu)抖頻(pín)功能(néng)，能(néng<×→)夠有(yǒu)效改善系統的(de) EMI 性能(nén ↔g)。芯片最低(dī)的(de)工(gōng)作(zuò)頻(φσεpín)率設置在音(yīn)頻(pín)✘©σ®以上(shàng)，在工(gōng)作(zuò)時(shí)可(kě)以避免±→×≤系統産生(shēng)噪音(yīn)。SP663≥✘₹★9HF 內(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周期限流≥®÷保護（OCP），過壓保護（OVP），VDD 過壓箝 ₽位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通(tōng)過÷β內(nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo)的(de)改善β♦®©系統的(de) EMI 特性和(hé)開(kāi)Ωσ♥關的(de)軟啓動控制(zhì)。SP6639HF 使用(yòng) SOP&© 8 無鉛封裝。