SP6638HF 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 PW'π×M 控制(zhì)芯片，內(nèi)置功率 MOSFET，用(yòng)于功率₩₹§λ在 18W 以內(nèi)的(de)方案。該芯片在系統輸出空(kōng)載γ$•時(shí)工(gōng)作(zuò)在跳(tiào)頻(pín)σ♣模式，在系統輸出輕載到(dào)中等負載階段工↑"λ(gōng)作(zuò)在 PFM 模式，在輸出重載時(shí)工(gōng₩γ±)作(zuò)在最大(dà)恒定工(gōng)作(zuò)頻(pín≥✔←​)率。SP6638HF 的(de)啓動電(diàn)流和(hé)γ✔↔工(gōng)作(zuò)電(diàn)流設定的(de)比較小(xiǎ✔®o)，以此減小(xiǎo)待機(jī)時(shí)的(dφ↑ e)功耗。芯片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補償電(di™≈àn)路(lù)，避免次諧波振蕩的(de)發生(s✘<hēng)，改善系統的(de)穩定性。芯€≈↔片內(nèi)置有(yǒu)前沿消隐時(shí)間(jiān)（Leadin>£≠g-edge blanking time），≥‌消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn)流對(d‌₩≥εuì)電(diàn)路(lù)的(de)影(yǐng)響。該芯片帶有(yǒu₽σδ)抖頻(pín)功能(néng)，能(néng)夠有(yǒu×→<→)效改善系統的(de) EMI 性能(néng)。芯片最→£ 低(dī)的(de)工(gōng)作(zuò)頻(pín)率™©設置在音(yīn)頻(pín)以上(shàng)，在工(g">ōng)作(zuò)時(shí)可(kě)以避免系統産生(shēng↕¶ε)噪音(yīn)。SP6638HF 內(nèi✔→)置多(duō)種保護，包括逐周期限流保護（↑©OCP），過壓保護（OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保護（U¶♣♣₽VLO），過溫保護（OTP）等，通(tōng)過內(↕↕★☆nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(®‍±hǎo)的(de)改善系統的(de) EMI 特性和$₹® (hé)開(kāi)關的(de)軟啓動控制(zhì)。SP6638HF ↔×πδ使用(yòng) SOP8 無鉛封裝。