SP6649DF 是(shì)一(yī)顆電(  ÷↕diàn)流模式 PWM 控制(zhì)芯片，內(nèi)置 650V ♥≥φσ高(gāo)壓功率 MOSFET，芯片可(kě)以工↔σ∞(gōng)作(zuò)在綠(lǜ)色模式，以此來(lái)減小©© (xiǎo)輕載時(shí)的(de)損耗，提高(gāo)整機(jī)的Ω¥←>(de)工(gōng)作(zuò)效率。

SP6649DF在啓動和(hé)工(gōng)作(zuò)時(shí)‌®★隻需要(yào)很(hěn)小(xiǎo  ©)的(de)電(diàn)流，可(kě)以在啓動電(diàn♣×$ )路(lù)中使用(yòng)一(yī)₩γ個(gè)很(hěn)大(dà)的(de)電(diàn)阻，以₽ε‍∏此來(lái)進一(yī)步減小(xiǎo)待機(jī)時(shí)的(de∑₹)功耗。SP6649DF 內(nèi)置多(ε♦duō)種保護，包括逐周期限流保護（OCP），過≥α載保護（OLP），過壓保護（VDD OVP），VDD 過 ∏€壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通(tō₹§ng)過內(nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo±φ<)的(de)改善系統的(de)EMI 特性和(₽δhé)開(kāi)關的(de)軟啓動控制φ€©(zhì)。SP6649DF 采用(yòng) SOφ♥×P8 封裝。