SP6649 是(shì)一(yī)顆電(diàφ'♥♠n)流模式 PWM 控制(zhì)芯片，內("≤nèi)置 650V 高(gāo)壓功率 MOSFET，應用(☆ ‍yòng)于功率在 30W 以內(nèi)的(de)®∑方案。SP6649 在 PWM 模式下(xià)工(gε✘ōng)作(zuò)于固定開(kāi)關頻(pín)☆✔γ©率，這(zhè)個(gè)頻(pín)率'×是(shì)由內(nèi)部精确設定。在空(kōng)載λ₽φ∑或者輕載時(shí)，工(gōng)作(zuò)頻(pín)率由 Iδ☆★C 內(nèi)部調整。芯片可(kě)以工(g∞ ōng)作(zuò)在綠(lǜ)色模式， ↕•±以此來(lái)減小(xiǎo)輕載時(sh'≥•í)的(de)損耗，提高(gāo)整機(₹•jī)的(de)工(gōng)作(zuò≤©)效率。SP6649 在啓動和(hé)工(gōng)作(zu≈☆ ò)時(shí)隻需要(yào)很(hěn)小(xiǎo)的★∞φ♥(de)電(diàn)流，可(kě)以在啓動£↓α電(diàn)路(lù)中使用(yòng)一(yī)→✘&$個(gè)很(hěn)大(dà)的(de)電(diàn)✔↓≤↑阻，以此來(lái)進一(yī)步減小(x✘↕↓iǎo)待機(jī)時(shí)的(de)功耗。φ≥芯片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(lù)，當電(d§€iàn)路(lù)工(gōng)作(zuò)于大(dà)占空↑©₩(kōng)比時(shí)，避免次諧波振蕩的(de)發生(shē₽↔φ​ng)，改善系統的(de)穩定性。內(nèi)置有(yǒu)前沿' ♠消隐時(shí)（Leading-edge blanking time∑&），消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(d♣♣‌≈iàn)流對(duì)電(diàn)路(lù)的(dπ•≠e)影(yǐng)響。SP6649 采用(yòng)了(le)抖頻(∑≠δpín)技(jì)術(shù)，能(néng)夠有(yǒu)效改善系統≠>Ω的(de) EMI 性能(néng)。系統的(dγ→"e)跳(tiào)頻(pín)頻(pínφ★)率設置在音(yīn)頻(pín)(22KHz)以上(shàng)，÷™®α在工(gōng)作(zuò)時(shí)可(kě)以避免系統産生λ★‍¥(shēng)噪音(yīn)。SP6649 內(nèi)置多(d¥≤§uō)種保護，包括逐周期限流保護（OCP）׶•，過載保護（OLP），過壓保護（VDD OVP），VDD 過壓¶♦₽箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等 ÷¶，通(tōng)過內(nèi)部的(de)圖騰柱驅動結構可±α‍¥(kě)以更好(hǎo)的(de)改善系統的(de) EM§®σ∑I 特性和(hé)開(kāi)關的(de)軟啓動控制(zhì)。