SP6649 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 PWM•☆≈ 控制(zhì)芯片，內(nèi)置 650V 高(gāo)壓功率 MOSFΩ↑€ET，應用(yòng)于功率在 30W 以內(nèi)的Ωδ(de)方案。SP6649 在 PWM 模式下(xià)工(gōng)作(z☆₩☆'uò)于固定開(kāi)關頻(pín)率，←♣Ω這(zhè)個(gè)頻(pín)率是(shì)由內(←∞↔nèi)部精确設定。在空(kōng)載或者輕載時(shí)，工(gō ↕>ng)作(zuò)頻(pín)率由 IC 內(≠±₹✔nèi)部調整。芯片可(kě)以工(gōng)&λ作(zuò)在綠(lǜ)色模式，以此來(lái)減小(xiǎo☆₹)輕載時(shí)的(de)損耗，提高(gāo)整機(€♦jī)的(de)工(gōng)作(zuò)效率。™♣SP6649 在啓動和(hé)工(gōng)作(©¥zuò)時(shí)隻需要(yào)很(hěn)小(xiǎo)的(de)電(d♥∏iàn)流，可(kě)以在啓動電(diàn)路(lù)中使用(yòng)一(y¶αδ★ī)個(gè)很(hěn)大(dà)的(de)電(dià∞ ✘€n)阻，以此來(lái)進一(yī)步減小(xiǎo)待機(j‍ ī)時(shí)的(de)功耗。芯片內(nèi)置有(yǒu)斜•₩坡補償電(diàn)路(lù)，當電(diàn)路(lù♣∑☆)工(gōng)作(zuò)于大(dà)占空(k₽€<ōng)比時(shí)，避免次諧波振蕩的(de)發生(shēng)，改善系 ₽πε統的(de)穩定性。內(nèi)置有(y↑÷ǒu)前沿消隐時(shí)（Leading-edge blanking ×> time），消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn)流對(>λ✔duì)電(diàn)路(lù)的(de)影(yǐng)響。SP66™∑ ∞49 采用(yòng)了(le)抖頻(pín)技(jì)術(shù)，能(λ≈ néng)夠有(yǒu)效改善系統的(d≤$&e) EMI 性能(néng)。系統的(d£≈e)跳(tiào)頻(pín)頻(pín)率設←α∑置在音(yīn)頻(pín)(22KHz)☆€§✘以上(shàng)，在工(gōng)作(zuò)時(shí)可(×€§kě)以避免系統産生(shēng)噪音(yīn)。SP6649 內(n ​★èi)置多(duō)種保護，包括逐周期限流保護（OCP）™ λ，過載保護（OLP），過壓保護（VDD OVP），VDD 過壓箝位，β ↕•欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通(tōng)過內(n↕‍èi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(kě)以&§∑更好(hǎo)的(de)改善系統的(de) EMI 特性和(hé)開(kāi↑←)關的(de)軟啓動控制(zhì)。