SP6648HF 是(shì)一(yī)顆電‍¥(diàn)流模式 PWM 控制(zhì)芯片，內(nèi)ε≠•置 650V 高(gāo)壓功率 MOSFET，應用(yòng)于功率在∞‌‍™ 18W 以內(nèi)的(de)方案。SP6648HF 在 PWM &♥♥‌模式下(xià)工(gōng)作(zuò∞♦ ¥)于固定開(kāi)關頻(pín)率，這(zhè)個(gè)頻× (pín)率是(shì)由內(nèi)部精确設定。在空(kōn'‍γ∞g)載或者輕載時(shí)，工(gōng)✔♠↔作(zuò)頻(pín)率由 IC 內(nèi)部調整。芯片可(kě)以≤‍工(gōng)作(zuò)在綠(lǜ)色模式，以此來​₩™(lái)減小(xiǎo)輕載時(shí)的®π™×(de)損耗，提高(gāo)整機(jī)的(de)工¶β(gōng)作(zuò)效率。SP6648HF 在啓動和(hé)工Ω ₹(gōng)作(zuò)時(shí)隻需要(yà←®<o)很(hěn)小(xiǎo)的(de)電(diàn)流，可(k↑>ě)以在啓動電(diàn)路(lù)中使用(yòng)一(yī)個(λ$★€gè)很(hěn)大(dà)的(de)電(diàn)阻，以此來∑γ(lái)進一(yī)步減小(xiǎo)待機(jī)時(sh∞¶í)的(de)功耗。芯片內(nèi)置有(yǒu)斜坡補∑✔償電(diàn)路(lù)，當電(diàn)路≤λ'(lù)工(gōng)作(zuò)于大(dà)πδσ‌占空(kōng)比時(shí)，避免次諧波振蕩的(de)發生 ₩∏↔(shēng)，改善系統的(de)穩定性。內(nèΩ'÷'i)置有(yǒu)前沿消隐時(shí)（Leading‌™®-edge blanking time），‍δ ±消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn)流對(duì)電∞✘≈©(diàn)路(lù)的(de)影(yǐng)響。SP6648HF 采用(yφ​òng)了(le)抖頻(pín)技(jì)術(βλshù)，能(néng)夠有(yǒu)效改善系統的(de) EMI  λ性能(néng)。系統的(de)跳(ti✔≥≥$ào)頻(pín)頻(pín)率設置在音(yīn)頻(pín>λδ)(22KHz)以上(shàng)，在工(gōng)作(zuò)時(sh∏×€í)可(kě)以避免系統産生(shēng)噪音(yīn)。✔₽™SP6648HF 內(nèi)置多(duō)種保護，包∑≈括逐周期限流保護（OCP），過載保護（OLP），過壓保護（VDD₽↓β OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保護（U™ β₹VLO），過溫保護（OTP）等，通(tōng)過內(nèi)部的(dα₽£'e)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo)的∏≠±(de)改善系統的(de) EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(de≥ ↑™)軟啓動控制(zhì)。