SP6649 是(shì)一(yī)顆電(diàn)流模式 PWM Ωπλ 控制(zhì)芯片，內(nèi)置 650V 高(gāo)壓功率 MOSF↓↕ε$ET，應用(yòng)于功率在 30W 以內(Ωβnèi)的(de)方案。SP6649 在 P₽γ♠WM 模式下(xià)工(gōng)作(zuò)于固定開(kāi)關>δ♣ 頻(pín)率，這(zhè)個(gè)頻(pín)率是(↑ shì)由內(nèi)部精确設定。在空(kōng)載"§​或者輕載時(shí)，工(gōng)作(zuò)₹π↓頻(pín)率由 IC 內(nèi)部調整。芯片可(kě)♥☆≤δ以工(gōng)作(zuò)在綠(lǜ)色模式γ×​，以此來(lái)減小(xiǎo)輕載時(shí)的(de)損耗，Ω♣提高(gāo)整機(jī)的(de)工("φ<±gōng)作(zuò)效率。SP6649 在啓動和(hé)工(gō÷±ng)作(zuò)時(shí)隻需要(yào)很(hěn)小(xiǎ☆←o)的(de)電(diàn)流，可(kě)以在啓動電(di♣→'àn)路(lù)中使用(yòng)一(yī)個(gè)很✔®  (hěn)大(dà)的(de)電(diàn≈•♥↕)阻，以此來(lái)進一(yī)步減小(xiǎo)待• 機(jī)時(shí)的(de)功耗。芯片內(nèi)置∞λ 有(yǒu)斜坡補償電(diàn)路(lù)，當電(diàn)路(lù)≤≈λ↑工(gōng)作(zuò)于大(dà)占空(kō ★‌>ng)比時(shí)，避免次諧波振蕩的(de"™β)發生(shēng)，改善系統的(de)穩定性。內(nèi)置有(yǒu♣∑•)前沿消隐時(shí)（Leading-edge blanking tiδ¥☆me），消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn)流對(d'&₩uì)電(diàn)路(lù)的(de)影(yǐng)響。SP6649 ↑©£←采用(yòng)了(le)抖頻(pín)技(jì)術(sσ☆ hù)，能(néng)夠有(yǒu)效改善系統的(↓ ε™de) EMI 性能(néng)。系統的(dα☆σ↑e)跳(tiào)頻(pín)頻(pín)率設置在音(yīn)頻<δ×β(pín)(22KHz)以上(shàng)，在工(gōng)•★✘作(zuò)時(shí)可(kě)以避免系統産λ♣生(shēng)噪音(yīn)。SP6649 內(nèi)置多(duō₹")種保護，包括逐周期限流保護（OCP），過載♠∑π保護（OLP），過壓保護（VDD OVP）§→，VDD 過壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保‌≠&護（OTP）等，通(tōng)過內(nèi)部的®¥(de)圖騰柱驅動結構可(kě)以更好(hǎo)的(de)改善系統的(deΩ$€') EMI 特性和(hé)開(kāi)關的(de)軟啓×♥♦¶動控制(zhì)。