SP6648HF 是(shì)一(yī)顆電(≠↕©€diàn)流模式 PWM 控制(zhì)芯片，內(nèi)置 650V 高♦∑•(gāo)壓功率 MOSFET，應用(yòng)于功率在 18W≥®÷ 以內(nèi)的(de)方案。SP6648HF 在 P<φ$WM 模式下(xià)工(gōng)作(zuò)于固定開(kā γ&i)關頻(pín)率，這(zhè)個(gè)頻(pín)率是(shì)由內(n ​→èi)部精确設定。在空(kōng)載或者輕載γ∑時(shí)，工(gōng)作(zuò)頻(p↑↓ín)率由 IC 內(nèi)部調整。芯片可(kě)以工(gōng)≈¶≠作(zuò)在綠(lǜ)色模式，以此來(lái)減小(xiǎo)輕載時<₽ π(shí)的(de)損耗，提高(gāo)整機(jī)的(d♥✔÷∏e)工(gōng)作(zuò)效率。SP6648HF♣© 在啓動和(hé)工(gōng)作(zuò)時(shí§γ♣)隻需要(yào)很(hěn)小(xiǎo→♣♣)的(de)電(diàn)流，可(kě)以在啓動電(π$​πdiàn)路(lù)中使用(yòng)一(yī)個(gè≠★♥∞)很(hěn)大(dà)的(de)電(diδ↕§àn)阻，以此來(lái)進一(yī)步減小(xiǎo♥Ω)待機(jī)時(shí)的(de)功耗。芯片內(nèi)置有(yǒu)斜∑€>£坡補償電(diàn)路(lù)，當電(diàn)路(lùα₽₽)工(gōng)作(zuò)于大(dà)占空(kōng)×β比時(shí)，避免次諧波振蕩的(de)發生→↓ (shēng)，改善系統的(de)穩定性。內(nèi>®σ₽)置有(yǒu)前沿消隐時(shí)（Leading-edge bl​★"¥anking time），消除緩沖網絡中的(de)二極管反向恢複電(diàn)ש流對(duì)電(diàn)路(lù)的(de) ×♥±影(yǐng)響。SP6648HF 采用(yòng)了(le)抖頻(p∑®λín)技(jì)術(shù)，能(néng)夠有(yǒu)效改善系統的(de)∏≠ EMI 性能(néng)。系統的(de)跳(tiào)頻(pín)λ≈§頻(pín)率設置在音(yīn)頻(pín)(22KHz)以上(≤→↓shàng)，在工(gōng)作(zuò)時(shí)可(π£kě)以避免系統産生(shēng)噪音(y ♦→īn)。SP6648HF 內(nèi)置多(duō)種保護，包括逐周期限流₩  ☆保護（OCP），過載保護（OLP），過壓保護（VDD OVP），VDD 過壓箝∞β→位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通(tōng)過內(n↔₽$βèi)部的(de)圖騰柱驅動結構可(kě)以更$×λ好(hǎo)的(de)改善系統的(de) EMI 特性和(π≤§hé)開(kāi)關的(de)軟啓動控制(zhì)。